[發明專利]一種細粉碳化硅陶瓷及其制備方法

有效

• 申請號: 201710137433.5
• 申請日: 2017-03-09
• 公開（公告）號: CN106966732B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 韓永軍;黃立軍;李勇;李青彬;羅曉強;賀國旭
• 申請（專利權）人: 平頂山學院
• 主分類號: C04B35/565
• 分類號: C04B35/565;C04B35/65;C04B35/622
• 代理公司: 西安銘澤知識產權代理事務所(普通合伙) 61223
• 代理人: 潘宏偉

1.一種細粉碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：將炭黑、細粉碳化硅、分散劑、減水劑和分散介質混合，得到混合漿料，所述分散劑為聚乙烯吡咯烷酮-K30和聚乙烯吡咯烷酮-K90的混合物，所述混合物中聚乙烯吡咯烷酮-K30和聚乙烯吡咯烷酮-K90按照質量比1:6～12的比例混合，所述減水劑為聚羧酸減水劑CE-64，所述分散介質為去離子水，其中，所述細粉碳化硅為粒徑為3.2～3.9微米的晶硅片切割刃料尾料細粉，所述炭黑和所述細粉碳化硅的質量比為1：6～8，所述分散劑和所述細粉碳化硅的質量比為1：120～150，所述減水劑和所述細粉碳化硅的質量比為1：800～1800，所述分散介質和所述細粉碳化硅的質量比為1：20～25；

S2：將所述混合漿料注漿成型，得到坯料，將成型后的坯料在75～85℃烘干4～6小時；

S3：將烘干后的坯料用由氮化硼、炭黑和硅粉組成的混合粉末進行包埋，包埋后的坯料依次在真空狀態下150～200℃干燥2個小時，氮氣氣氛下560～600℃排膠3個小時，真空狀態下升溫至1650～1720℃燒結，保溫2小時后隨爐溫冷卻至室溫，得到所述細粉碳化硅陶瓷，其中，混合粉末中炭黑、硅粉、氮化硼的質量比為1:50：1000～1250。

2.根據權利要求1所述的細粉碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，S1中，將炭黑、細粉碳化硅、分散劑、減水劑和分散介質混合，得到混合漿料的具體步驟為：

將炭黑、細粉碳化硅、分散劑和減水劑加入分散介質中，攪拌4～5小時，室溫下測試粘度小于等于800mPa.s。

3.一種細粉碳化硅陶瓷，其特征在于，由根據權利要求1～2任一所述的制備方法制得。

4.根據權利要求3所述的細粉碳化硅陶瓷，其特征在于，所述細粉碳化硅陶瓷的密度為3.03～3.05g/cm³，彎曲強度為550～580MPa。