[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710137209.6
• 申請日: 2017-03-09
• 公開（公告）號: CN107342261B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 劉子正;藍若琳;胡毓祥;郭宏瑞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/31
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體裝置，其特征在于，包含：

一半導體結構，具有一芯片區域及圍繞所述芯片區域的一密封環區域，所述半導體結構包含：

一半導體芯片，位于所述芯片區域內；

一導電圖案，位于所述密封環區域內；以及

一模塑化合物，位于所述芯片區域及所述密封環區域內，且圍繞所述半導體芯片，其中所述導電圖案具有一上表面與所述模塑化合物的一上表面共平面；

一密封環，位于所述半導體結構的所述密封環區域上方，其中所述導電圖案接觸所述密封環；以及

一絕緣結構，位于所述半導體結構的所述芯片區域及所述半導體結構的所述密封環區域上方，其中所述絕緣結構包含覆蓋所述密封環的一頂面的一頂部、覆蓋所述密封環的一側面的一底部以及自所述頂部向所述底部延伸的一平滑斜側表面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電圖案為環形且圍繞所述半導體芯片。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述絕緣結構接觸所述導電圖案。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，位在所述導電圖案上方且接觸所述導電圖案的所述絕緣結構具有一厚度，其大于位在所述密封環上方且接觸所述密封環的所述絕緣結構的一厚度。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述密封環接觸所述模塑化合物。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述密封環為階梯狀。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述密封環具有一階梯狀外側表面。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述密封環自所述半導體結構的所述密封環區域往所述半導體結構的所述芯片區域向上傾斜延伸。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述平滑斜側表面自所述半導體結構的所述密封環區域往所述半導體結構的所述芯片區域向上傾斜延伸。

10.一種半導體裝置，其特征在于，包含：

一半導體結構，具有一芯片區域及圍繞所述芯片區域的一密封環區域，所述半導體結構包含：

一半導體芯片，位于所述芯片區域內；

一模塑化合物，位于所述芯片區域及所述密封環區域內，且圍繞所述半導體芯片；以及

一導電圖案，位于所述密封環區域內，且具有一上表面與所述模塑化合物的一上表面共平面；

一密封環，位于所述半導體結構的所述密封環區域上方，其中所述密封環圍繞所述半導體芯片，且所述導電圖案接觸所述密封環；以及

一絕緣結構，位于所述半導體結構上方，且覆蓋所述密封環。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電圖案為環形且圍繞所述半導體芯片。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，所述絕緣結構接觸所述導電圖案。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，位在所述導電圖案上方且接觸所述導電圖案的所述絕緣結構具有一厚度，其大于位在所述密封環上方且接觸所述密封環的所述絕緣結構的一厚度。

14.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，所述密封環自所述半導體結構的所述密封環區域往所述半導體結構的所述芯片區域向上傾斜延伸。

15.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電圖案還具有一下表面與所述模塑化合物的一下表面共平面。