[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710137209.6
• 申請日: 2017-03-09
• 公開（公告）號: CN107342261B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 劉子正;藍若琳;胡毓祥;郭宏瑞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/31
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種制造半導體裝置的方法，包含：接收半導體結構，其具有晶片區域、圍繞晶片區域的密封環區域及圍繞密封環區域定義的切割區域，半導體結構包含于晶片區域內的半導體晶片；以及模塑化合物設置圍繞半導體晶片且分布于晶片區域、密封環區域及切割區域內；形成絕緣膜于半導體結構的晶片區域及半導體結構的密封環區域上；形成密封環于半導體結構的密封環區域上且側向鄰接絕緣膜，其中密封環具有側表面背對絕緣膜；以及形成保護層，其定義出位于密封環的側表面上方的平滑斜側表面。

技術領域

本揭露實施例是有關于一種半導體裝置及其制造方法。

背景技術

半導體裝置通常是通過放置多個集成電路(integrated circuits,ICs)于如硅的半導體晶圓上方的矩陣圖案內而制得，而各集成電路由多個元件形成，且具有特定功能。

放置在晶圓基板上的多個晶片透過呈現柵格圖案的切割區域(切割線)彼此隔開。在透過半導體制程形成多個晶片于單個基板上方之后，透過沿著切割區域將基板切割成個別的晶片，以將基板分離成個別的半導體裝置。

發明內容

根據一些實施例，一種半導體裝置，包含：半導體結構，具有芯片區域及圍繞所述芯片區域的密封環區域，半導體結構包含：半導體芯片，位于芯片區域內；導電圖案，位于密封環區域內；以及模塑化合物，位于芯片區域及密封環區域內，且圍繞半導體芯片，其中導電圖案具有上表面與模塑化合物的上表面共平面；密封環，位于半導體結構的密封環區域上方；以及絕緣結構，位于半導體結構的芯片區域及半導體結構的密封環區域上方，其中絕緣結構包含覆蓋密封環的頂面的頂部、覆蓋密封環的側面的底部以及自頂部向底部延伸的平滑斜側表面。

根據一些實施例，一種半導體裝置，包含：半導體結構，具有芯片區域及圍繞芯片區域的密封環區域，半導體結構包含：半導體芯片，位于芯片區域內；模塑化合物，位于芯片區域及密封環區域內，且圍繞半導體芯片；以及導電圖案，位于密封環區域內，且具有上表面與模塑化合物的上表面共平面；密封環，位于半導體結構的密封環區域上方，其中密封環圍繞半導體芯片；以及絕緣結構，位于半導體結構上方，且覆蓋密封環。

根據一些實施例，一種半導體裝置，包含：半導體結構，具有芯片區域及圍繞芯片區域的密封環區域，半導體結構包含：半導體芯片，位于芯片區域內；模塑化合物，位于芯片區域及密封環區域內，且圍繞半導體芯片；通孔，具有上表面與模塑化合物的上表面共平面及下表面與模塑化合物的下表面共平面；以及導電圖案，圍繞通孔，且具有上表面與模塑化合物的上表面共平面及下表面與模塑化合物的下表面共平面。

根據一些實施例，一種制造半導體裝置的方法，包含：接收半導體結構，其具有晶片區域、圍繞晶片區域的密封環區域及圍繞密封環區域定義的切割區域，半導體結構包含于晶片區域內的半導體晶片；以及模塑化合物設置圍繞半導體晶片且分布于晶片區域、密封環區域及切割區域內；形成絕緣膜于半導體結構的晶片區域及半導體結構的密封環區域上；形成密封環于半導體結構的密封環區域上且側向鄰接絕緣膜，其中密封環具有側表面背對絕緣膜；以及形成保護層，其定義出位于密封環的側表面上方的平滑斜側表面。

根據一些實施例，一種制造半導體裝置的方法，包含：接收半導體結構，半導體結構具有晶片區域、圍繞晶片區域的密封環區域及圍繞密封環區域的切割區域，半導體結構包含：半導體晶片，位于晶片區域內；以及模塑化合物，位于晶片區域、密封環區域及切割區域內，且圍繞半導體晶片；形成第一絕緣層于半導體結構的芯片區域及半導體結構的密封環區域上；形成第一導電特征于半導體結構的密封環區域上方且側向鄰接第一絕緣層的周邊部分；形成第二絕緣層于第一絕緣層上，但仍暴露出第一導電特征背對第一絕緣層的側表面；形成第二導電特征于第二絕緣層的周邊部分上方且側向鄰接第二絕緣層的周邊部分，但仍暴露出第二導電特征背對第二絕緣層的側表面；以及形成保護層，其定義出位于第一導電特征的側表面及第二導電特征的側表面上方的平滑斜側表面。