[發(fā)明專利]一種3D NAND存儲(chǔ)器件及其制造方法、封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710135655.3
• 申請(qǐng)日: 2017-03-08
• 公開（公告）號(hào): CN106910746B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂震宇;楊士寧;潘鋒;楊偉毅;陳俊;吳關(guān)平;施文廣;程衛(wèi)華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11526
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種3D NAND存儲(chǔ)器件，其特征在于，包括：

基底；

所述基底上的堆疊層，所述堆疊層包括沿字線方向依次排布的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域；其中，

所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域和第三區(qū)域之間，所述第二區(qū)域中形成有貫通的絕緣環(huán)，所述絕緣環(huán)內(nèi)的堆疊層為相互間隔堆疊的氧化物層和氮化物層，所述絕緣環(huán)內(nèi)的堆疊層中形成有貫通接觸孔；

所述絕緣環(huán)外的第二區(qū)域以及第一區(qū)域、第三區(qū)域的堆疊層為相互間隔堆疊的氧化物層和金屬層，堆疊層中的頂層金屬層為頂層選擇柵，所述第一區(qū)域和第三區(qū)域中形成有用于形成存儲(chǔ)器件的溝道孔；

設(shè)置在絕緣環(huán)外的柵線縫隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述堆疊層還包括位于所述第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第四區(qū)域，以及位于所述第二區(qū)域和第三區(qū)域之間的第五區(qū)域，所述第四區(qū)域和第五區(qū)域的堆疊層為相互間隔堆疊的氧化物層和金屬層且上兩層金屬層為頂層金屬層階梯結(jié)構(gòu)；

第一區(qū)域、第四區(qū)域以及第三區(qū)域、第五區(qū)域的堆疊層中設(shè)置有沿字線方向延伸至所述絕緣環(huán)的一對(duì)相互平行柵線縫隙，沿與柵線縫隙垂直的方向所述絕緣環(huán)的邊界至少延伸到一對(duì)相互平行的柵線縫隙之外的區(qū)域；

通過(guò)所述頂層金屬層階梯結(jié)構(gòu)將所述絕緣環(huán)兩側(cè)的平行的柵線縫隙之間的所述第一區(qū)域和第三區(qū)域的頂層選擇柵電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，第一區(qū)域以及第三區(qū)域的堆疊層中設(shè)置有沿字線方向延伸至所述絕緣環(huán)的一對(duì)相互平行柵線縫隙，沿與柵線縫隙垂直的方向所述絕緣環(huán)的邊界至少延伸到一對(duì)相互平行的柵線縫隙之外的區(qū)域；所述第一區(qū)域和第三區(qū)域的外側(cè)為堆疊層的階梯結(jié)構(gòu)，通過(guò)所述堆疊層的階梯結(jié)構(gòu)將所述絕緣環(huán)兩側(cè)的平行的柵線縫隙之間的所述第一區(qū)域和第三區(qū)域的頂層選擇柵電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述絕緣環(huán)設(shè)置于相互平行的相鄰的柵線縫隙之間的第二區(qū)域中，所述相互平行的相鄰的柵線縫隙連續(xù)貫穿第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述絕緣環(huán)設(shè)置于相互平行的相鄰的柵線縫隙之間，所述相互平行的相鄰的柵線縫隙穿過(guò)第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，且至少有一條柵線縫隙在第二區(qū)域處具有間斷區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件其特征在于，所述絕緣環(huán)之外的第二區(qū)域的堆疊層中形成有偽溝道孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述基底為第一襯底，所述第一襯底的背面設(shè)置有貫通第一襯底且與貫通接觸孔連接的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，還包括第二襯底，第二襯底中形成了CMOS器件電路以及鍵合層，所述第二襯底的鍵合層朝向第一襯底的正面，所述鍵合層將所述第一襯底和第二襯底粘合。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，在對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)區(qū)域的第一襯底的背面上形成有第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)的襯墊。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述基底包括第三襯底及第三襯底之上的外延襯底，第三襯底中形成了CMOS器件電路以及第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述貫通接觸孔進(jìn)一步貫穿外延襯底至第三襯底中的第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)。