[發明專利]半導體芯片的溝槽肖特基表面平坦化加工工藝

在審

• 申請號: 201710135002.5
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN106941075A
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發明（設計）人: 馬文力;楊勇;姚偉明
• 申請（專利權）人: 揚州國宇電子有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/16;G03F7/26
• 代理公司: 蘇州潤桐嘉業知識產權代理有限公司32261
• 代理人: 胡思棉

1.一種半導體芯片的溝槽肖特基表面平坦化加工工藝，其步驟依次主要包括第一次光刻勻膠，第一次光刻膠回刻，第二次光刻勻膠，第二次光刻膠回刻，介質刻蝕，光刻膠剝離，所述第一次光刻膠勻膠和所述第二次光刻膠勻膠的光刻膠厚度為0.5～5.0um；所述第一次光刻膠回刻厚度為所述光刻膠厚度1.0～1.4倍；所述第二次光刻膠回刻厚度為的為所述光刻膠厚度0.7～1.1倍。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片的溝槽肖特基表面平坦化加工工藝，其特征在于所述第一次光刻膠回刻和所述第二次光刻膠回刻均采用干法刻蝕工藝。

3.根據權利要求1所述的半導體芯片的溝槽肖特基表面平坦化加工工藝，其特征在于所述干法刻蝕工藝為等離子體刻蝕、反應離子刻蝕或聚焦離子刻蝕。

4.根據權利要求1所述的半導體芯片的溝槽肖特基表面平坦化加工工藝，其特征在于在所述第一次光刻膠回刻前后增加單次或多次烘烤過程及冷卻過程。

5.根據權利要求4所述的半導體芯片的溝槽肖特基表面平坦化加工工藝，其特征在于所述烘烤溫度75～130℃，時間3～300秒。

6.根據權利要求4所述的半導體芯片的溝槽肖特基表面平坦化加工工藝，其特征在于所述冷卻過程為自然冷卻或冷板冷卻，所述冷板冷卻溫度20～30℃，冷卻時間30s～30min。