[發明專利]圖像傳感器及其形成方法、圖像傳感器母板、指紋成像模組在審
| 申請號: | 201710133560.8 | 申請日: | 2017-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN108573985A | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發明(設計)人: | 曲志剛;朱虹 | 申請(專利權)人: | 上海籮箕技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 吳敏 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區中國(上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 像素陣列 封裝結構 指紋成像 基底 模組 母板 像素單元 陣列排布 信噪比 透射 準直 封裝 切割 隔離 | ||
一種圖像傳感器及其形成方法、圖像傳感器母板、指紋成像模組,所述圖像傳感器包括:基底;像素陣列,位于所述基底上,所述像素陣列包括呈陣列排布的多個像素單元;封裝結構層,位于所述像素陣列上,所述封裝結構層用于實現所述像素陣列的封裝隔離,并對透射所述像素陣列的光線起準直作用。本發明技術方案能夠減少切割后的加工工藝,提高所形成圖像傳感器的信噪比。
技術領域
本發明涉及指紋成像領域,特別涉及一種圖像傳感器及其形成方法、圖像傳感器母板、指紋成像模組。
背景技術
指紋識別技術是通過圖像傳感器采集到人體的指紋圖像,然后與指紋識別系統里已有的指紋信息進行比對,從而實現身份識別的技術。由于其便捷性和人體指紋的唯一性,指紋識別技術已經大量應用于各個領域,比如:公安局、海關等安檢領域,樓宇的門禁系統,以及個人電腦和手機等消費品領域等等。
指紋識別技術中所采用的成像方式有光學式、電容式、超聲波式等多種。其中一種是通過光學式成像模組采集人體的指紋圖像。光學式成像模組主要包括:保護蓋板、圖像傳感器、集成芯片(IC)、柔性電路板(FPC)和柔性電路板上的電子器件(包括光源LED)、導光板、上保護殼體以及下保護殼體等主要部件。其中圖像傳感器是利用非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)、低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)或氧化物半導體薄膜晶體管(OS TFT)等半導體工藝技術,在玻璃基底上制作的;之后經過切割、點膠、粘接等過程實現封裝。
但是現有技術中,形成圖像傳感器的方法存在工藝精度、信號噪聲大的問題。
發明內容
本發明解決的問題是提供一種圖像傳感器及其形成方法、圖像傳感器母板、指紋成像模組,以提高工藝精度,降低信號噪聲。
為解決上述問題,本發明提供一種圖像傳感器的形成方法,包括:
提供基底;在所述基底上形成多個像素陣列,所述像素陣列包括呈陣列排布的像素單元,相鄰像素陣列之間具有劃片道;在所述像素陣列上形成封裝結構層,所述封裝結構層用于實現所述像素陣列的封裝隔離,并對透射所述像素陣列的光線起到準直的作用;形成所述封裝結構層之后,沿所述劃片道切割所述基底,以獲得所述圖像傳感器。
可選的,形成所述封裝結構層的步驟包括:在所述基底上形成支撐層,所述支撐層內具有通光開口,所述通光開口底部露出所述像素單元;向所述通光開口內填充封裝材料,形成封裝塊;在所述支撐層和所述封裝塊上形成保護層。
可選的,形成所述支撐層的步驟包括:在所述基底上進行第一成膜處理,形成支撐材料層,所述支撐材料層覆蓋所述劃片道和所述像素陣列;對所述支撐材料層進行第一圖形化處理,去除所述劃片道上的支撐材料層,并形成所述支撐層和所述通光開口;
可選的,形成所述封裝塊的步驟包括:在所述基底上進行第二成膜處理,形成封裝材料層,所述封裝材料層覆蓋所述劃片道并填充于所述通光開口內;對所述封裝材料層進行第二圖形化處理,去除所述劃片道上的封裝材料層,形成位于所述通光開口內的封裝塊;
可選的,形成所述保護層的步驟包括:在所述基底上進行第三成膜處理,形成保護材料層,所述保護材料層覆蓋所述劃片道、所述支撐層和所述封裝塊;對所述保護材料層進行第三圖形化處理,去除所述劃片道上的保護材料層,形成所述保護層。
可選的,所述封裝塊材料的折射率大于所述支撐層材料的折射率。
可選的,所述通光開口的深寬比大于1。
可選的,所述通光開口底部露出一個或多個像素單元。
可選的,所述保護層為單層結構或疊層結構。
可選的,形成封裝塊之后,形成保護層之前,所述形成方法還包括:形成覆蓋所述封裝塊和所述支撐層的平坦層;形成保護層的步驟中,形成位于所述平坦層上的保護層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





