[發(fā)明專利]圖像傳感器及其形成方法、圖像傳感器母板、指紋成像模組

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710133560.8
• 申請(qǐng)日: 2017-03-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108573985A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曲志剛;朱虹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海籮箕技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;G06K9/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多個(gè)像素陣列，所述像素陣列包括呈陣列排布的像素單元，相鄰像素陣列之間具有劃片道；

在所述像素陣列上形成封裝結(jié)構(gòu)層，所述封裝結(jié)構(gòu)層用于實(shí)現(xiàn)所述像素陣列的封裝隔離，并對(duì)透射所述像素陣列的光線起到準(zhǔn)直的作用；

形成所述封裝結(jié)構(gòu)層之后，沿所述劃片道切割所述基底，以獲得所述圖像傳感器。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述封裝結(jié)構(gòu)層的步驟包括：

在所述基底上形成支撐層，所述支撐層內(nèi)具有通光開(kāi)口，所述通光開(kāi)口底部露出所述像素單元；

向所述通光開(kāi)口內(nèi)填充封裝材料，形成封裝塊；

在所述支撐層和所述封裝塊上形成保護(hù)層。

3.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述支撐層的步驟包括：

在所述基底上進(jìn)行第一成膜處理，形成支撐材料層，所述支撐材料層覆蓋所述劃片道和所述像素陣列；

對(duì)所述支撐材料層進(jìn)行第一圖形化處理，去除所述劃片道上的支撐材料層，并形成所述支撐層和所述通光開(kāi)口。

4.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述封裝塊的步驟包括：

在所述基底上進(jìn)行第二成膜處理，形成封裝材料層，所述封裝材料層覆蓋所述劃片道并填充于所述通光開(kāi)口內(nèi)；

對(duì)所述封裝材料層進(jìn)行第二圖形化處理，去除所述劃片道上的封裝材料層，形成位于所述通光開(kāi)口內(nèi)的封裝塊。

5.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)層的步驟包括：

在所述基底上進(jìn)行第三成膜處理，形成保護(hù)材料層，所述保護(hù)材料層覆蓋所述劃片道、所述支撐層和所述封裝塊；

對(duì)所述保護(hù)材料層進(jìn)行第三圖形化處理，去除所述劃片道上的保護(hù)材料層，形成所述保護(hù)層。

6.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述封裝塊材料的折射率大于所述支撐層材料的折射率。

7.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述通光開(kāi)口的深寬比大于1。

8.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述通光開(kāi)口底部露出一個(gè)或多個(gè)像素單元。

9.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層為單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成封裝塊之后，形成保護(hù)層之前，所述形成方法還包括：形成覆蓋所述封裝塊和所述支撐層的平坦層；

形成保護(hù)層的步驟中，形成位于所述平坦層上的保護(hù)層。

11.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述平坦層的材料與所述封裝塊材料折射率相同。

12.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成所述平坦層的步驟包括：

在所述基底上進(jìn)行平坦成膜處理，形成平坦材料層，所述平坦材料層覆蓋所述劃片道、所述封裝塊以及所述支撐層；

對(duì)所述平坦材料層進(jìn)行平坦圖形處理，去除劃片道上的平坦材料層，形成所述平坦層。

13.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

基底；

像素陣列，位于所述基底上，所述像素陣列包括呈陣列排布的多個(gè)像素單元；

封裝結(jié)構(gòu)層，位于所述像素陣列上，所述封裝結(jié)構(gòu)層用于實(shí)現(xiàn)所述像素陣列的封裝隔離，并對(duì)透射所述像素陣列的光線起準(zhǔn)直作用。

14.如權(quán)利要求13所述的圖像傳感器，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)層包括：

封裝塊，位于所述像素單元上；

支撐層，位于所述基底上，且環(huán)繞所述封裝塊和所述像素單元；

保護(hù)層，位于所述支撐層和所述封裝塊上。