[發明專利]圖像傳感器及其形成方法、圖像傳感器母板、指紋成像模組在審
| 申請號: | 201710133560.8 | 申請日: | 2017-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN108573985A | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發明(設計)人: | 曲志剛;朱虹 | 申請(專利權)人: | 上海籮箕技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 吳敏 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區中國(上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 像素陣列 封裝結構 指紋成像 基底 模組 母板 像素單元 陣列排布 信噪比 透射 準直 封裝 切割 隔離 | ||
1.一種圖像傳感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供基底;
在所述基底上形成多個像素陣列,所述像素陣列包括呈陣列排布的像素單元,相鄰像素陣列之間具有劃片道;
在所述像素陣列上形成封裝結構層,所述封裝結構層用于實現所述像素陣列的封裝隔離,并對透射所述像素陣列的光線起到準直的作用;
形成所述封裝結構層之后,沿所述劃片道切割所述基底,以獲得所述圖像傳感器。
2.如權利要求1所述的形成方法,其特征在于,形成所述封裝結構層的步驟包括:
在所述基底上形成支撐層,所述支撐層內具有通光開口,所述通光開口底部露出所述像素單元;
向所述通光開口內填充封裝材料,形成封裝塊;
在所述支撐層和所述封裝塊上形成保護層。
3.如權利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成所述支撐層的步驟包括:
在所述基底上進行第一成膜處理,形成支撐材料層,所述支撐材料層覆蓋所述劃片道和所述像素陣列;
對所述支撐材料層進行第一圖形化處理,去除所述劃片道上的支撐材料層,并形成所述支撐層和所述通光開口。
4.如權利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成所述封裝塊的步驟包括:
在所述基底上進行第二成膜處理,形成封裝材料層,所述封裝材料層覆蓋所述劃片道并填充于所述通光開口內;
對所述封裝材料層進行第二圖形化處理,去除所述劃片道上的封裝材料層,形成位于所述通光開口內的封裝塊。
5.如權利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成所述保護層的步驟包括:
在所述基底上進行第三成膜處理,形成保護材料層,所述保護材料層覆蓋所述劃片道、所述支撐層和所述封裝塊;
對所述保護材料層進行第三圖形化處理,去除所述劃片道上的保護材料層,形成所述保護層。
6.如權利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述封裝塊材料的折射率大于所述支撐層材料的折射率。
7.如權利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述通光開口的深寬比大于1。
8.如權利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述通光開口底部露出一個或多個像素單元。
9.如權利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述保護層為單層結構或疊層結構。
10.如權利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成封裝塊之后,形成保護層之前,所述形成方法還包括:形成覆蓋所述封裝塊和所述支撐層的平坦層;
形成保護層的步驟中,形成位于所述平坦層上的保護層。
11.如權利要求10所述的形成方法,其特征在于,所述平坦層的材料與所述封裝塊材料折射率相同。
12.如權利要求10所述的形成方法,其特征在于,形成所述平坦層的步驟包括:
在所述基底上進行平坦成膜處理,形成平坦材料層,所述平坦材料層覆蓋所述劃片道、所述封裝塊以及所述支撐層;
對所述平坦材料層進行平坦圖形處理,去除劃片道上的平坦材料層,形成所述平坦層。
13.一種圖像傳感器,其特征在于,包括:
基底;
像素陣列,位于所述基底上,所述像素陣列包括呈陣列排布的多個像素單元;
封裝結構層,位于所述像素陣列上,所述封裝結構層用于實現所述像素陣列的封裝隔離,并對透射所述像素陣列的光線起準直作用。
14.如權利要求13所述的圖像傳感器,其特征在于,所述封裝結構層包括:
封裝塊,位于所述像素單元上;
支撐層,位于所述基底上,且環繞所述封裝塊和所述像素單元;
保護層,位于所述支撐層和所述封裝塊上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





