[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710133208.4
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN107871717B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 野村泰造
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

本發明的實施方式提供一種具有穩定的刻印的半導體裝置及其制造方法。實施方式的半導體裝置包括包含配線的配線板、具有刻印的密封樹脂、第1半導體元件、第1電極、導線、第1絕緣層、及第2絕緣層。第1半導體元件設置于配線板與密封樹脂之間。第1電極設置于第1半導體元件的一部分與密封樹脂的一部分之間。導線將配線與第1電極電連接。第1絕緣層的至少一部分在從配線板朝向密封樹脂的第1方向上設置于導線的一部分與第1半導體元件之間。第1絕緣層具有第1厚度。第2絕緣層設置于第1半導體元件與密封樹脂之間，且包含聚酰亞胺。第2絕緣層的至少一部分在第1方向上與刻印重疊，且具有比第1厚度厚的第2厚度。

[相關申請]

本申請享受以日本專利申請2016-185102號(申請日：2016年9月23日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種半導體裝置及其制造方法。

背景技術

存在對將半導體元件密封的密封樹脂照射激光等而形成標記(刻印)的方法。希望不對半導體元件造成不良影響而穩定地形成刻印。

發明內容

本發明的實施方式提供一種具有穩定的刻印的半導體裝置及其制造方法。

本發明的實施方式的半導體裝置包括包含配線的配線板、具有刻印的密封樹脂、第1半導體元件、第1電極、第1導線、第1絕緣層、及第2絕緣層。所述第1半導體元件設置于所述配線板與所述密封樹脂之間。所述第1電極設置于所述第1半導體元件的一部分與所述密封樹脂的一部分之間。所述第1導線將所述配線與所述第1電極電連接。所述第1絕緣層的至少一部分在從所述配線板朝向所述密封樹脂的第1方向上設置于所述第1導線的一部分與所述第1半導體元件之間。所述第1絕緣層具有第1厚度。所述第2絕緣層設置于所述第1半導體元件與所述密封樹脂之間，且包含聚酰亞胺。所述第2絕緣層的至少一部分在所述第1方向上與所述刻印重疊，且具有比所述第1厚度厚的第2厚度。

附圖說明

圖1(a)及圖1(b)是例示實施方式的半導體裝置的示意圖。

圖2(a)及圖2(b)是例示實施方式的另一種半導體裝置的一部分的示意剖視圖。

圖3(a)～圖3(c)是例示實施方式的半導體裝置的制造方法的、依照步驟順序而表示的示意剖視圖。

圖4是表示激光的每一波長下的、實施方式的半導體裝置的第2絕緣層中所使用的聚酰亞胺的厚度與透過率的關系的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的各實施方式進行說明。

附圖是示意性或概念性的，各部分的厚度與寬度的關系、部分間的大小比例等未必與現實情況相同。也存在如下情況：在表示相同的部分時，有些附圖是以彼此不同的尺寸、比例來表示的。

在本申請的說明書及各圖中，對與相關于已給出的圖而敘述的要素相同的要素標注相同的符號并適當省略詳細的說明。

圖1(a)及圖1(b)是例示實施方式的半導體裝置的示意圖。圖1(a)是圖1(b)的A1-A2線剖視圖。圖1(b)是從圖1(a)所示的箭頭AA方向觀察的俯視圖。

如圖1(a)所示，實施方式的半導體裝置110包括配線板40、密封樹脂30、第1半導體元件10、第1電極10e、第1導線51、第1絕緣層11、及第2絕緣層12。如下所述，也可還設置著第3絕緣層23。