[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710133208.4
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN107871717B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 野村泰造
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

1.一種半導體裝置，其特征在于包括：

配線板，包含配線；

密封樹脂，具有刻印；

第1半導體元件，設置于所述配線板與所述密封樹脂之間；

第1電極，設置于所述第1半導體元件的一部分與所述密封樹脂的一部分之間；

第1導線，將所述配線與所述第1電極電連接；

第1絕緣層，所述第1絕緣層的至少一部分在從所述配線板朝向所述密封樹脂的第1方向上，設置于所述第1導線的一部分與所述第1半導體元件之間，且所述第1絕緣層具有第1厚度；及

第2絕緣層，設置于所述第1半導體元件與所述密封樹脂之間，且包含聚酰亞胺，所述第2絕緣層的至少一部分在所述第1方向上與所述刻印重疊，且具有比所述第1厚度厚的第2厚度；

所述密封樹脂包含多個填料、及設置于所述多個填料周圍的樹脂；

所述第2絕緣層對綠色光的吸光度比所述填料的吸光度高。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于還包括：

第2半導體元件，設置于所述配線板與所述第1半導體元件之間；及

第3絕緣層，設置于所述第2半導體元件與所述第1半導體元件之間，且比所述第2厚度薄。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第2厚度為20微米以上80微米以下。

4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在包含配線的配線板上設置：密封樹脂；第1半導體元件，設置于所述配線板與所述密封樹脂之間；第1電極，設置于所述第1半導體元件的一部分與所述密封樹脂的一部分之間；第1導線，將所述配線與所述第1電極電連接；第1絕緣層，具有第1厚度，且所述第1絕緣層的至少一部分在從所述配線板朝向所述密封樹脂的第1方向上設置于所述第1導線的一部分與所述第1半導體元件之間；及第2絕緣層，設置于所述第1半導體元件的另一部分與所述密封樹脂之間，包含聚酰亞胺，且具有比所述第1厚度厚的第2厚度；且

包括如下步驟：對所述密封樹脂的另一部分照射SHG激光或THG激光，而在所述密封樹脂的所述另一部分形成刻印。