[發(fā)明專利]一種三維存儲(chǔ)器及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710132051.3
• 申請(qǐng)日: 2017-03-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106876403A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐強(qiáng);夏志良;喻蘭芳;李廣濟(jì);霍宗亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/11578
• 分類號(hào): H01L27/11578
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種三維存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，包括：

S1、提供一半導(dǎo)體襯底；

S2、在所述半導(dǎo)體襯底一表面上形成存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其中，所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括：位于所述半導(dǎo)體襯底一表面上、且沿豎直方向疊加的多個(gè)絕緣層，多個(gè)貫穿所述多個(gè)絕緣層的溝道孔及位于所述溝道孔內(nèi)的堆疊結(jié)構(gòu)，多個(gè)貫穿所述多個(gè)絕緣層的溝槽，以及，覆蓋相鄰兩個(gè)所述絕緣層之間相對(duì)表面和相應(yīng)所述堆疊結(jié)構(gòu)側(cè)壁的介質(zhì)層；

S3、沉積金屬層以覆蓋所述介質(zhì)層的內(nèi)壁表面和所述絕緣層朝向所述溝槽的側(cè)面；

S4、回刻蝕所述金屬層，以形成位于所述介質(zhì)層的內(nèi)壁中的金屬柵；

S5、重復(fù)步驟S3和S4預(yù)設(shè)次數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述金屬層的材質(zhì)為鎢或鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)層包括：

靠近所述絕緣層一側(cè)的高K介質(zhì)阻擋層；

以及，位于所述高K介質(zhì)阻擋層的內(nèi)壁一側(cè)的種子層，其中，所述種子層的材質(zhì)為氮化鈦或氮化鉭。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述種子層的厚度范圍為1nm～10nm，包括端點(diǎn)值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的形成包括：

在所述半導(dǎo)體襯底一表面形成沿豎直方向交替堆疊的所述多個(gè)絕緣層和多個(gè)犧牲層，其中，所述多個(gè)絕緣層為第一絕緣層至第N絕緣層，所述多個(gè)犧牲層為第一犧牲層至第N-1犧牲層，N為小于2的整數(shù)；

貫穿所述多個(gè)絕緣層和多個(gè)犧牲層形成所述多個(gè)溝道孔；

在所述溝道孔內(nèi)形成所述堆疊結(jié)構(gòu)；

貫穿所述多個(gè)絕緣層和多個(gè)犧牲層形成所述多個(gè)溝槽；

去除所述多個(gè)犧牲層；

在相鄰兩個(gè)所述絕緣層之間形成所述介質(zhì)層，其中，所述介質(zhì)層覆蓋相鄰兩個(gè)所述絕緣層之間相對(duì)表面和相應(yīng)所述堆疊結(jié)構(gòu)側(cè)壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度及絕緣層的厚度范圍均為10nm～80nm，包括端點(diǎn)值。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述多個(gè)絕緣層和多個(gè)犧牲層的厚度總和不小于1微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述絕緣層的材質(zhì)為二氧化硅，所述犧牲層的材質(zhì)為氮化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為P型半導(dǎo)體襯底。

10.一種三維存儲(chǔ)器，其特征在于，所述三維存儲(chǔ)器采用權(quán)利要求1～9任意一項(xiàng)所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法制作而成。