[發(fā)明專利]等離子體加工設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710131459.9
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN108573891B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李一成;侯文潭
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

1.一種等離子體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室、基座、線圈和射頻電源，所述線圈位于所述反應(yīng)腔室的頂壁上方，所述射頻電源用于通過所述線圈激發(fā)所述反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體形成等離子體；所述基座位于所述反應(yīng)腔室內(nèi)，所述基座用于支撐襯底并向所述襯底加載射頻偏壓；所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣口；

其特征在于，所述等離子體加工設(shè)備還包括氣路組件和噴嘴組件，所述氣路組件設(shè)置在所述進(jìn)氣口中形成非直線氣路，所述噴嘴組件包括噴嘴，其中，

所述噴嘴設(shè)置在所述進(jìn)氣口中，且位于所述氣路組件的內(nèi)側(cè)，用于將自所述氣路組件流出的氣體輸送至所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部；

所述噴嘴內(nèi)設(shè)有噴嘴氣路，所述噴嘴氣路包括第一氣孔和第二氣孔，其中，所述第一氣孔的進(jìn)氣端與所述非直線氣路的出氣端相連通，所述第一氣孔的出氣端與所述第二氣孔的進(jìn)氣端相連通；所述第二氣孔的出氣端與所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部相連通；并且，所述第二氣孔的直徑小于所述第一氣孔的直徑，用于減少等離子體進(jìn)入所述噴嘴氣路中的數(shù)量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述非直線氣路采用單線或多線的立體螺旋結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述氣路組件包括螺旋桿，所述螺旋桿設(shè)置在所述進(jìn)氣口中，且在所述螺旋桿與所述進(jìn)氣口之間形成所述非直線氣路。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述氣路組件還包括螺旋管，所述螺旋管設(shè)置在所述進(jìn)氣口中；

所述螺旋桿設(shè)置在所述螺旋管中，且在所述螺旋桿與所述螺旋管之間形成所述非直線氣路。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述非直線氣路在垂直于其延伸方向上的截面形狀包括三角形、梯形或者矩形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述噴嘴組件還包括遮擋部，

所述遮擋部設(shè)置在所述噴嘴的出氣端，用以遮擋所述噴嘴與所述進(jìn)氣口之間的間隙。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述噴嘴組件還包括噴嘴固定件和彈性密封件，其中，

所述噴嘴固定件設(shè)置在所述進(jìn)氣口中，且位于所述氣路組件的內(nèi)側(cè)；在所述噴嘴固定件中設(shè)置有安裝孔，所述噴嘴設(shè)置在所述安裝孔中；

所述彈性密封件環(huán)繞設(shè)置在所述噴嘴與所述安裝孔之間，用以對所述噴嘴與所述安裝孔之間的間隙進(jìn)行密封。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述彈性密封件包括一個(gè)或多個(gè)密封圈。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，在所述進(jìn)氣口靠近所述反應(yīng)腔室一端的內(nèi)壁上設(shè)置有凸臺。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述等離子體加工設(shè)備還包括進(jìn)氣法蘭，所述進(jìn)氣法蘭設(shè)置在所述進(jìn)氣口的外端面上，且具有與所述非直線氣路的進(jìn)氣端相連通的進(jìn)氣通道；并且，在所述進(jìn)氣法蘭與所述進(jìn)氣口的外端面之間設(shè)置有密封圈，用以對二者之間的間隙進(jìn)行密封。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述等離子體加工設(shè)備還包括排氣通道，所述排氣通道設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的腔室壁中，且所述排氣通道的一端與所述非直線氣路相連通，所述排氣通道的另一端延伸至所述反應(yīng)腔室的腔室壁的外側(cè)面。