[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710131034.8
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN107180860B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 田中成明;岡徹
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;金世煜

本發明提供一種減少制造時的繁瑣度的技術。本發明的半導體裝置具備：由含有鎵的氮化物半導體形成的n型半導體區域、與上述n型半導體區域相接且由上述氮化物半導體形成的p型半導體區域、與上述n型半導體區域歐姆接觸的第1電極、與上述p型半導體區域歐姆接觸的第2電極，其中，上述第1電極和上述第2電極主要由相同的金屬形成，上述相同的金屬是選自鈀、鎳、鉑中的至少一個金屬，上述n型半導體區域的p型雜質濃度和上述p型半導體區域的p型雜質濃度實質上相同，上述n型半導體區域中，n型雜質濃度與p型雜質濃度之差為1.0×10¹⁹cm^?3以上。

技術領域

本發明涉及半導體裝置。

背景技術

以往以來，已知使用氮化鎵(GaN)作為半導體材料的具備包含p型雜質的p型半導體區域和包含n型雜質的n型半導體區域的半導體裝置(例如，專利文獻1等)。

專利文獻1中，與n型半導體區域相接的源電極，為了得到n型半導體區域和歐姆特性而由鈦(Ti)和鋁(Al)形成，與p型半導體區域相接的主電極為了得到p型半導體區域和歐姆特性而由鎳(Ni)形成。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2009－177110號公報

專利文獻2：日本特開平7－045867號公報

專利文獻3：日本特開平9－064337號公報

專利文獻4：日本特開2006－313773號公報

專利文獻5：日本專利第4175157號

發明內容

專利文獻1中，與n型半導體區域相接的電極和與p型半導體區域相接的電極，由不同材料形成。但是，與n型半導體區域相接的電極和與p型半導體區域相接的電極由不同材料形成時，需要使各自的電極在不同工序中形成，制造工序繁瑣。因此，期望與n型半導體區域相接的電極和與p型半導體區域相接的電極由相同的材料形成的技術。

本發明是為了解決上述的課題的至少一部分而進行的，可通過以下方式實現。

(1)根據本發明的一個方式，可提供一種半導體裝置。該半導體裝置具備：由含有鎵的氮化物半導體形成的n型半導體區域、與上述n型半導體區域相接且由上述氮化物半導體形成的p型半導體區域、與上述n型半導體區域歐姆接觸的第1電極、與上述p型半導體區域歐姆接觸的第2電極，其中，上述第1電極和上述第2電極主要由相同的金屬形成，上述相同的金屬是選自鈀、鎳、鉑中的至少一個金屬，上述n型半導體區域的p型雜質濃度和上述p型半導體區域的p型雜質濃度實質上相同，在上述n型半導體區域中，n型雜質濃度與p型雜質濃度之差為1.0×10¹⁹cm^-3以上。根據該方式的半導體裝置，由于第1電極和第2電極主要由相同的金屬形成，因此能夠減少制造時的繁瑣度。

(2)上述半導體裝置中，上述第1電極與上述第2電極可以是相同的電極。根據該方式的半導體裝置，能夠將半導體裝置微細化。

(3)上述半導體裝置中，在上述n型半導體區域中，n型雜質濃度與p型雜質濃度之差可以為1.0×10²¹cm^-3以下。根據該方式的半導體裝置，能夠抑制n型半導體區域的表面的粗糙。

(4)在上述半導體裝置中，上述氮化物半導體可以含有鋁和銦的至少一方。在該方式的半導體裝置中，也不妨礙由相同的金屬形成第1電極和第2電極。

(5)上述半導體裝置中，上述p型半導體區域的p型雜質濃度可以為1.0×10¹⁸cm^-3以上。根據該方式的半導體裝置，能夠得到良好的歐姆接觸。