[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710131034.8
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN107180860B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 田中成明;岡徹
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;金世煜

1.一種半導體裝置，具備：

由含有鎵的氮化物半導體形成的n型半導體區域、

與所述n型半導體區域相接且由所述氮化物半導體形成的p型半導體區域、

與所述n型半導體區域歐姆接觸的第1電極、

與所述p型半導體區域歐姆接觸的第2電極，

所述第1電極和所述第2電極主要由相同的金屬形成，

所述相同的金屬是選自鈀、鎳、鉑中的至少一種金屬，

所述n型半導體區域的p型雜質濃度與所述p型半導體區域的p型雜質濃度實質上相同，

在所述n型半導體區域中，n型雜質濃度與p型雜質濃度之差為1.0×10²⁰cm^－3以上。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第1電極和所述第2電極為相同的電極。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述n型半導體區域中，n型雜質濃度與p型雜質濃度之差為1.0×10²¹cm^－3以下。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述氮化物半導體含有鋁和銦的至少一方。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述p型半導體區域的p型雜質濃度為1.0×10¹⁸cm^-3以上。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述p型半導體區域所含的p型雜質含有鎂和鋅的至少一方。

7.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述n型半導體區域所含的n型雜質含有硅和鍺的至少一方。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，越遠離與所述第2電極接觸的面，所述p型半導體區域的p型雜質濃度變得越低。

9.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述n型半導體區域與所述第1電極接觸的面和所述p型半導體區域與所述第2電極接觸的面在不同的平面上。