[發明專利]用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜及制備方法

在審

• 申請號: 201710130873.8
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN106746738A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 劉戰合;田秋麗;王菁;任淑紅;趙輝;王曉璐
• 申請（專利權）人: 鄭州航空工業管理學院
• 主分類號: C03C17/42
• 分類號: C03C17/42
• 代理公司: 江蘇銀創律師事務所32242
• 代理人: 何紅梅

1.一種用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜，其特征在于：所述用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜包括艦橋玻璃基底(0)，所述艦橋玻璃基底(0)上設置有A面和B面，所述A面和B面上分別設置有不同的功能膜系，A面為電加熱膜系，B面為隱身膜系；所述電加熱膜系由艦橋玻璃基底(0)由內向外依次為電加熱功能層和內疏水膜層；所述隱身膜系由艦橋玻璃基底(0)由內向外依次為隱身功能膜層和外疏水膜層。

2.根據權利要求1所述的用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜，其特征在于：所述A面向艦船艦橋玻璃內為內側，所述B面向艦船艦橋玻璃外為外側，所述電加熱功能層由內向外依次為第一氧化硅層(1-11)、第一氧化銦錫層(1-12)、第一金屬金層(1-13)和第二氧化銦錫層(1-14)，所述第一氧化硅層(1-11)的膜層的厚度為12～25nm，所述第一氧化銦錫層(1-12)的膜層的厚度為30～60nm，所述第一金屬金層(1-13)的膜層的厚度為8～10nm，所述第二氧化銦錫層(1-14)的膜層的厚度為60～80nm。

3.根據權利要求2所述的用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜，其特征在于：所述內疏水層由內向外依次為第二氧化硅層(1-21)和內聚四氟乙烯層(1-22)，所述第二氧化硅層(1-21)的膜層的厚度為20～30nm，所述內聚四氟乙烯層(1-22)的膜層的厚度為30～65nm。

4.根據權利要求3所述的用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜，其特征在于：所述隱身功能膜層由內向外依次為第三氧化硅層(2-11)、第三氧化銦錫層(2-12)、第二金屬金層(2-13)、第四氧化銦錫層(2-14)和金屬鈦層(2-15)，所述第三氧化硅層(2-11)的膜層的厚度為12～25nm，第三氧化銦錫層(2-12)的膜層的厚度為30～60nm，第二金屬金層(2-13)的膜層的厚度為6～10nm，第四氧化銦錫層(2-14)的膜層的厚度為30～60nm，金屬鈦層(2-15)的膜層的厚度為5～8nm。

5.根據權利要求4所述的用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜，其特征在于：所述外疏水膜層由內向外依次為氮化鈦層(2-21)、第四氧化硅層(2-22)和外聚四氟乙烯層(2-23)；所述氮化鈦層(2-21)的膜層的厚度為20～50nm，所述第二氧化硅層(2-22)的膜層的厚度為20～30nm，所述外聚四氟乙烯層(2-23)的膜層的厚度為30～65nm。

6.權利要求1至5任一項所述的用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)采用平衡或非平衡磁控濺射方式，鍍膜設備置于潔凈度十萬級以內、濕度小于55％的潔凈室內，設備冷卻水溫度在16～26℃；鍍膜時本底真空要求：鍍膜室真空度<2.5×10^-3Pa、進入室和隔離室真空度<1Pa；

(2)艦橋玻璃基底經清洗機清洗后，依次通過進入室和隔離室，到達鍍膜室，進入鍍膜室后，關閉隔離室與鍍膜室間的隔離閥，抽真空至本底真空，之后通入氬氣和相應工藝氣體維持真空度在0.4～0.9Pa之間；

(3)待鍍膜室腔體內總氣壓穩定后，將艦橋玻璃基底的A面正對濺射靶面，A面與靶面之間的距離保持在6～20cm，連續開啟電源，依次在艦橋玻璃基底的A面上鍍制電加熱層和內疏水層；

(4)A面鍍膜結束后，清洗B面；對B面進行鍍膜，重復步驟(1)～(3)，鍍膜過程中基底傳輸速度保持平穩均勻，速度范圍為0.8～3m/min，制得用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜。

7.根據權利要求6所述的用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜的制備方法，其特征在于：在步驟(3)中，所述電源為中頻電源、直流電源和射頻電源。

8.根據權利要求6所述的用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜的制備方法，其特征在于：在步驟(2)和(3)中，鍍制A面時工藝氣體為氧氣，鍍制B面時工藝氣體為氧氣或氮氣。

9.根據權利要求6所述的用于軍用艦船艦橋玻璃隱身的耐腐蝕防霧薄膜的制備方法，其特征在于：在步驟(3)中，電源采用恒功率的范圍為3～40kw或恒電流的范圍為3～30A，鍍制金屬膜層時，恒功率范圍為0.3～1.5kw，鍍制內聚四氟乙烯層和外聚四氟乙烯膜層均采用射頻電源。