[發(fā)明專利]一種照明燈具及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710130516.1
• 申請(qǐng)日: 2017-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN106895280A
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹永革;申小飛;麻朝陽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國人民大學(xué)
• 主分類號(hào): F21K9/90
• 分類號(hào): F21K9/90;F21V29/76;F21V29/51;F21V31/00;F21V9/16;F21Y115/10
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11245
• 代理人: 關(guān)暢,王春霞

1.一種照明燈具，其特征在于：它包括LED發(fā)光一體化光源和微槽群相變鰭片散熱器；

所述LED發(fā)光一體化光源包括LED光源和散熱器均溫板；所述LED光源設(shè)置于所述散熱器均溫板的一面上；

所述微槽群相變鰭片散熱器包括相變液、腔體和散熱鰭片；所述腔體有一開口，所述LED光源相對(duì)的所述散熱器均溫板的另一面密封所述開口；所述腔體的外部腔體壁上設(shè)置多個(gè)所述散熱鰭片，所述散熱鰭片上設(shè)置多個(gè)微槽群，所述相變液置于所述腔體的內(nèi)部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明燈具，其特征在于：所述LED發(fā)光光源包括由上到下依次設(shè)置的熒光層、倒裝芯片和光源基板；

所述光源基板的一面上布置線路并設(shè)置固晶區(qū)，另一面布置可焊層；

所述倒裝芯片設(shè)置于所述固晶區(qū)上，所述倒裝芯片上沿著所述固晶區(qū)邊緣圍圍壩膠；

所述LED光源通過所述可焊層設(shè)置于所述均溫板上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的照明燈具，其特征在于：所述光源基板選自氮化鋁基板、氧化鋁基板、鋁基板和銅基板中的至少一種；

所述倒裝芯片為倒裝LED芯片；

所述熒光層的材料為熒光粉膠和/或熒光晶體，所述熒光粉膠為硅膠混合熒光粉或環(huán)氧樹脂混合熒光粉，所述熒光晶體為玻璃熒光晶體或透明熒光陶瓷；

所述熒光層的厚度為0.1～0.8mm；

所述光源基板的厚度為0.5～3mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的照明燈具，其特征在于：所述LED發(fā)光光源經(jīng)所述可焊層焊接或直接倒裝在所述散熱器均溫板上；

所述可焊層采用蜂窩狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的照明燈具，其特征在于：在所述散熱器均溫板上設(shè)置一孔與所述腔體聯(lián)通，所述孔設(shè)置與之相匹配的密封塞；

所述腔體的開口與所述散熱器均溫板之間設(shè)置密封圈；

與所述腔體的開口接觸處所述散熱器均溫板設(shè)置螺紋。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的照明燈具，其特征在于：所述相變液為水、丙酮和乙醇中的至少一種；

所述相變液的體積占所述腔體的體積的13～35％；

所述腔體的內(nèi)部呈真空狀態(tài)。

7.權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的照明燈具的制備方法，包括如下步驟：

1)將所述光源基板的一面布置電路并設(shè)置固晶區(qū)，所述光源基板的另一面設(shè)置可焊層；

2)將倒裝芯片固定在所述固晶區(qū)上，進(jìn)行共晶焊接，形成藍(lán)光光源；

3)沿著所述固晶區(qū)將所述藍(lán)光光源圍圍壩膠，烘烤、冷卻；

4)經(jīng)上述步驟3)處理的所述倒裝芯片上涂覆熒光層，然后進(jìn)行烘烤固定，得到所述LED光源；

5)將步驟4)處理得到的所述LED光源經(jīng)所述可焊層焊接到所述散熱器均溫板的一面上，得到所述LED發(fā)光一體化光源；

6)所述LED光源相對(duì)的所述散熱器均溫板的另一面密封所述腔體的開口；

所述腔體的外部腔體壁上設(shè)置多個(gè)所述散熱鰭片，所述散熱鰭片上設(shè)置多個(gè)微槽群；

7)通過所述散熱器均溫板上的孔，將所述腔體抽真空，然后注入所述相變液，用所述密封塞密封所述孔，即得到所述照明燈具。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述電路、固晶區(qū)與所述可焊層均采用絲印方法印刷得到；

所述倒裝芯片的固定的方法為固晶法，所述倒裝芯片的固定采用固晶機(jī)；采用共晶爐進(jìn)行所述共晶焊接；

采用點(diǎn)膠機(jī)圍所述圍壩膠；

所述圍壩膠的材料為白色RTV硅膠、乳白色硅膠或透明硅膠。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備方法，其特征在于：上述步驟3)中，所述烘烤的溫度為135～165℃，所述烘烤的時(shí)間為0.5～3h；

上述步驟4)中，所述烘烤的溫度為145～175℃，所述烘烤的時(shí)間為0.5～3h；

上述步驟5)中，通過回流焊方法進(jìn)行所述焊接。

10.根據(jù)權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于：上述步驟6)中還包括將所述腔體的開口與所述散熱器均溫板之間設(shè)置密封圈密封的步驟；

上述步驟7)中，所述腔體的真空度為10^-1Pa～10^-2Pa。