[發(fā)明專利]NAND閃存的讀操作處理方法、裝置和NAND存儲設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710128834.4
• 申請日: 2017-03-06
• 公開（公告）號: CN108538333B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張現(xiàn)聚;蘇志強(qiáng);李建新
• 申請（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/30
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆;胡彬

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種NAND閃存的讀操作處理方法、裝置和NAND存儲設(shè)備。其中，所述方法應(yīng)用于NAND存儲設(shè)備，所述存儲設(shè)備包括多條字線和多個(gè)NAND存儲器單元，每條字線分別與對應(yīng)的存儲器單元連接，所述方法包括：確定待讀取的存儲器單元；為與所述待讀取的存儲器單元對應(yīng)的字線相鄰的兩條字線加第一電壓，其中，第一電壓為經(jīng)濾波器濾波后的電壓；為所述待讀取的存儲器單元對應(yīng)的字線加第二電壓，其中，第一電壓大于第二電壓。本發(fā)明實(shí)施例通過為與待讀取的存儲器單元對應(yīng)的字線相鄰的兩條字線加經(jīng)濾波器濾波后的電壓，通過濾波器減小該相鄰的兩條字線上電壓的波動，從而減小待讀取的存儲器單元對應(yīng)的字線上電壓的波動，以提高讀操作的準(zhǔn)確性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及存儲器技術(shù)，尤其涉及一種NAND閃存的讀操作處理方法、裝置和NAND存儲設(shè)備。

背景技術(shù)

NAND flash是Flash內(nèi)存的一種，屬于非易失性半導(dǎo)體存儲器。NAND flash包括很多數(shù)據(jù)塊，每個(gè)數(shù)據(jù)塊由很多存儲器單元組成，用于讀寫數(shù)據(jù)。

眾所周知，半導(dǎo)體存儲器具有排列成陣列的大量存儲器單元，陣列內(nèi)一特定的存儲器單元通常經(jīng)由一字線(word-line,WL)與一對位線(bit-line,BL)選取。字線通常耦接至一行內(nèi)各存儲器單元的一個(gè)或多個(gè)控制柵。由于控制柵的導(dǎo)通特性與NMOS相似，因此，當(dāng)耦接于其上的字線具有高電壓時(shí)(即，被活化，activate)，所有的存儲器單元會被導(dǎo)通。位線對(BL pair)通常耦接一列內(nèi)各存儲器單元的存儲點(diǎn)至一感測放大器。位于被活化的字線與位線對的一交叉點(diǎn)的存儲器單元便是所選擇的存儲器單元。通過控制字線和位線的高低電壓可以實(shí)現(xiàn)對存儲器單元的讀寫擦操作。

NAND flash實(shí)現(xiàn)讀操作時(shí)，如圖1(a)所示，若要讀WLn，則最基本方法是給所選擇的WLn加用于讀操作時(shí)對應(yīng)的Vn電壓，其他WL加與之相比更高的Vm電壓，并且是由NANDflash芯片內(nèi)部的電荷泵提供的。進(jìn)一步的，為了提高讀操作的準(zhǔn)確性，需要減小晶體管的vt分布，現(xiàn)有技術(shù)中采用VmH模式，該模式的實(shí)現(xiàn)如圖1(b)所示，即給所選擇的WLn相鄰的WLn+1和WLn-1均加比Vm更高的VmH電壓，其他WL加Vm電壓，其中，VmH電壓要大于Vm電壓，那么圖1(b)中加VmH電壓的負(fù)載就小于圖1(a)中對應(yīng)加Vm電壓的負(fù)載，所以VmH的電壓波動(ripple)較大，導(dǎo)致WLn被WLn+1與WLn-1耦合，因此，圖1(b)中WLn的ripple比圖1(a)中對應(yīng)WLn的的ripple大，繼而影響對圖1(b)中WLn進(jìn)行讀操作的結(jié)果準(zhǔn)確性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種NAND閃存的讀操作處理方法、裝置和NAND存儲設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中讀操作時(shí)因字線電壓波動較大而影響讀操作準(zhǔn)確性的問題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種NAND閃存的讀操作處理方法，應(yīng)用于NAND存儲設(shè)備，所述存儲設(shè)備包括多條字線和多個(gè)NAND存儲器單元，每條字線分別與對應(yīng)的存儲器單元連接，其中，所述方法包括：

確定待讀取的存儲器單元；

為與所述待讀取的存儲器單元對應(yīng)的字線相鄰的兩條字線加第一電壓，其中，第一電壓為經(jīng)濾波器濾波后的電壓；

為所述待讀取的存儲器單元對應(yīng)的字線加第二電壓，其中，第一電壓大于第二電壓。

優(yōu)選的，所述濾波器為RC濾波器。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種NAND閃存的讀操作處理裝置，應(yīng)用于NAND存儲設(shè)備，所述存儲設(shè)備包括多條字線和多個(gè)NAND存儲器單元，每條字線分別與對應(yīng)的存儲器單元連接，其中，所述裝置包括：

確定模塊，用于確定待讀取的存儲器單元；

第一電壓施加模塊，用于為與所述待讀取的存儲器單元對應(yīng)的字線相鄰的兩條字線加第一電壓，其中，第一電壓為經(jīng)濾波器濾波后的電壓；