[發明專利]NAND閃存的讀操作處理方法、裝置和NAND存儲設備有效
| 申請號： | 201710128834.4 | 申請日： | 2017-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN108538333B | 公開（公告）日： | 2022-02-11 |
| 發明（設計）人： | 張現聚;蘇志強;李建新 | 申請（專利權）人： | 北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/26 | 分類號： | G11C16/26;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | nand 閃存 操作 處理 方法 裝置 存儲 設備 | ||
1.一種NAND閃存的讀操作處理方法，應用于NAND存儲設備，所述存儲設備包括多條字線和多個NAND存儲器單元，每條字線分別與對應的存儲器單元連接，其特征在于，所述方法包括：
確定待讀取的存儲器單元；
為與所述待讀取的存儲器單元對應的字線相鄰的兩條字線加第一電壓，其中，第一電壓為經濾波器濾除電壓中的高頻成分后的電壓；
為所述待讀取的存儲器單元對應的字線加第二電壓，其中，第一電壓大于第二電壓；
為除與所述待讀取的存儲器單元相鄰的兩個存儲器單元和所述待讀取的存儲器單元之外的存儲器單元對應的字線提供第三電壓；其中，第三電壓小于第一電壓，第三電壓大于第二電壓。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濾波器為RC濾波器。
3.一種NAND閃存的讀操作處理裝置，應用于NAND存儲設備，所述存儲設備包括多條字線和多個NAND存儲器單元，每條字線分別與對應的存儲器單元連接，其特征在于，所述裝置包括：
確定模塊，用于確定待讀取的存儲器單元；
第一電壓施加模塊，用于為與所述待讀取的存儲器單元對應的字線相鄰的兩條字線加第一電壓，其中，第一電壓為經濾波器濾除電壓中的高頻成分后的電壓；
第二電壓施加模塊，用于為所述待讀取的存儲器單元對應的字線加第二電壓，其中，第一電壓大于第二電壓；
所述裝置還用于：為除與所述待讀取的存儲器單元相鄰的兩個存儲器單元和所述待讀取的存儲器單元之外的存儲器單元對應的字線提供第三電壓；其中，第三電壓小于第一電壓，第三電壓大于第二電壓。
4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述濾波器為RC濾波器。
5.一種NAND存儲設備，所述存儲設備包括電壓源、固件，還包括多條字線和多個NAND存儲器單元，每條字線分別與對應的存儲器單元連接，其特征在于，所述存儲設備還包括濾波器；
其中，所述電壓源與每條字線連接，用于為所述存儲器單元對應的每條字線提供讀取操作時對應的電壓；
所述電壓源還通過所述濾波器與每條字線連接，所述濾波器用于為與待讀取的存儲器單元對應的字線相鄰的兩條字線加對應的電壓之前進行濾波；
所述固件包括如權利要求3或4所述的NAND閃存的讀操作處理裝置。
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