[發明專利]一種帶隙基準電路中的不使用倒比管的反饋式啟動電路

有效

• 申請號: 201710127876.6
• 申請日: 2017-03-06
• 公開（公告）號: CN106843363B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 唐枋;葉楷;黃莎琳;殷鵬;陳卓;李世平;舒洲;王忠杰;李明東;夏迎軍
• 申請（專利權）人: 重慶湃芯微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/575
• 分類號: G05F1/575
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司11275
• 代理人: 趙榮之

技術領域

本發明屬于集成電路設計領域，具體的說是一種安全、穩定的帶隙基準電路，其中啟動電路不使用倒比管。

背景技術

基準電壓源常見的有齊納二極管、隱埋二極管和帶隙基準電壓源(BGR)3種，其中BGR具有低溫度系數、高電源抑制比等優點，是設計一個與溫度無關的基準源最常用的方法，其主要工作原理是利用MOS管PN結電壓V_BE的負溫度系數特性和ΔV_BE的正溫度系數特性，將兩者進行適當加權相加，溫度系數相互抵消，以此來獲得與溫度無關的基準電壓，這是由Widlar首次提出的。

傳統的裝置如圖1所示。

由于運放深度反饋使得正負兩端的電壓相等。I_C表示三極管的集電極電流，I_S表示飽和電流，因此：其中V_T具有正溫度系數，V_BE3具有負溫度系數，只要適當地選擇R₁、R₂和N，就可以得到與溫度無關的帶隙基準電壓。現有的用于帶隙基準當中的啟動電路通常會使用倒比管。

發明內容

鑒于此，本發明的目的是提供一種帶隙基準電路中的不使用倒比管的反饋式啟動電路。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的，一種帶隙基準電路中的不使用倒比管的反饋式啟動電路，包括電源產生模塊vdd_gen、帶隙基準模塊bandgap和LDO反饋電路；

所述電源產生模塊vdd_gen產生各種偏置電壓供本模塊和其他模塊使用；

所述帶隙基準模塊bandgap用于帶隙電壓；

所述LDO反饋電路產生各種電流漏并用于穩定帶隙基準模塊bandgap的輸出電壓。

進一步，所述LDO反饋電路包括具有正、反向輸入端的放大電路、MOS管M67、MOS管M68、MOS管M55和MOS管M57，所述放大電路的反向輸入端與帶隙基準模塊bandgap的輸出端連接，放大電路的正向輸入端與MOS管M68的漏極連接，放大電路的輸出端分別與MOS管M67的柵極、MOS管M55的柵極連接，MOS管M67的漏極與MOS管M68的源極連接，MOS管M68的漏極經電阻R1接地，MOS管M55的漏極與MOS管M57的源極連接，MOS管M57的漏極經電阻R2接地，所述MOS管67的源極、MOS管M55的源極分別與電源VCC連接。