[發(fā)明專利]一種帶隙基準(zhǔn)電路中的不使用倒比管的反饋式啟動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710127876.6
• 申請日: 2017-03-06
• 公開（公告）號: CN106843363B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐枋;葉楷;黃莎琳;殷鵬;陳卓;李世平;舒洲;王忠杰;李明東;夏迎軍
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶湃芯微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/575
• 分類號: G05F1/575
• 代理公司: 北京同恒源知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種帶隙基準(zhǔn)電路中的不使用倒比管的反饋式啟動電路，其特征在于：

啟動電路包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M7、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16和MOS管M17；

所述MOS管M15的源極、MOS管M14的源極、MOS管M16的源極、MOS管M17的源極分別接節(jié)點vcc2，MOS管M16的漏極接節(jié)點Vdd，MOS管M15的柵極、MOS管M16的柵極、MOS管M17的柵極、MOS管M14的漏極分別與節(jié)點basep連接，MOS管M15的漏極經(jīng)電阻接地，MOS管M15的漏極與柵極連接，MOS管M14的柵極為節(jié)點A，MOS管M17的漏極分別與MOS管M20的柵極、MOS管M21的柵極連接，MOS管M21的柵極為節(jié)點B，MOS管M20的源極經(jīng)電阻與第一三極管的發(fā)射極連接，MOS管M20的漏極分別與MOS管M18的漏極、MOS管M18的柵極、MOS管M19的柵極、MOS管M25的柵極連接，MOS管M18的源極、MOS管M19的源極、MOS管M25的源極連接，MOS管M19的漏極分別與MOS管M21的漏極、MOS管M21的柵極連接，MOS管M21的源極與第二三極管的發(fā)射極連接，第二三極管的基極、第一三極管的基極、第一三極管的集電極和第二三極管的集電極接地，MOS管M25的漏極分別與MOS管M26的漏極、MOS管M27的柵極、MOS管M1的柵極、MOS管M6的柵極連接并接節(jié)點basen1，MOS管M26的柵極接節(jié)點basen2，MOS管M26的源極接MOS管M27的漏極，MOS管M27的源極接地，MOS管M6的漏極與源極接地，MOS管M1的柵極與MOS管M5的柵極連接并接節(jié)點basen1，MOS管M1的漏極分別與MOS管M2的漏極、MOS管M2的柵極、MOS管M3的柵極、MOS管M11的柵極連接，MOS管M2的源極與MOS管M3的源極連接并接節(jié)點vcc2，MOS管M3的漏極分別與MOS管M4的漏極、MOS管M9的漏極、MOS管M4的柵極、MOS管M7的柵極連接并同時接節(jié)點basen2，MOS管M9的柵極接節(jié)點basep，MOS管M9的源極與MOS管M10的源極連接，M10的漏極與MOS管M11的源極連接，MOS管M10的柵極與MOS管M11的漏極、MOS管M7的漏極連接并接節(jié)點A，MOS管M7的源極與MOS管M5的漏極連接，MOS管M4的源極、MOS管M1的源極、MOS管M5的源極分別接地；

啟動電路還包括電源產(chǎn)生模塊vdd_gen、帶隙基準(zhǔn)模塊bandgap和LDO反饋電路；

所述電源產(chǎn)生模塊vdd_gen產(chǎn)生各種偏置電壓供本模塊和其他模塊使用；

所述帶隙基準(zhǔn)模塊bandgap用于帶隙電壓；

所述LDO反饋電路產(chǎn)生各種電流漏并用于穩(wěn)定帶隙基準(zhǔn)模塊bandgap的輸出電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶隙基準(zhǔn)電路中的不使用倒比管的反饋式啟動電路，其特征在于：所述LDO反饋電路包括具有正、反向輸入端的放大電路、MOS管M67、MOS管M68、MOS管M55和MOS管M57，所述放大電路的反向輸入端與帶隙基準(zhǔn)模塊bandgap的輸出端連接，放大電路的正向輸入端與MOS管M68的漏極連接，放大電路的輸出端分別與MOS管M67的柵極、MOS管M55的柵極連接，MOS管M67的漏極與MOS管M68的源極連接，MOS管M68的漏極經(jīng)電阻R1接地，MOS管M55的漏極與MOS管M57的源極連接，MOS管M57的漏極經(jīng)電阻R2接地，所述MOS管67的源極、MOS管M55的源極分別與電源VCC連接。