[發明專利]基于三維可寫存儲器的可編程門陣列有效
| 申請號： | 201710126067.3 | 申請日： | 2017-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN107154798B | 公開（公告）日： | 2023-10-17 |
| 發明（設計）人： | 張國飆 | 申請（專利權）人： | 杭州海存信息技術有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/17728 | 分類號： | H03K19/17728;H03K19/17736 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 三維 存儲器 可編程 門陣列 | ||
1.一種可編程計算單元(100)，其特征在于含有：
一含有晶體管的半導體襯底(0)；
堆疊在該半導體襯底(0)上的一三維可寫存儲器（3D-W）陣列(110)，該3D-W陣列(110)存儲一數學函數的至少部分查找表（LUT）；
一設置信號(125)，當該設置信號(125)為“寫”時，將一數學函數的值寫入該3D-W陣列(110)；當該設置信號(125)為“讀”時，從該3D-W陣列(110)中讀出該數學函數的值。
2.根據權利要求1所述的可編程計算單元(100)，其特征還在于：該3D-W為三維一次編程存儲器（3D-OTP）。
3.根據權利要求1所述的可編程計算單元(100)，其特征還在于：該3D-W為三維多次編程存儲器（3D-MTP）。
4.根據權利要求1所述的可編程計算單元(100)，其特征還在于：該3D-MTP為3D-XPoint、3D-RRAM和3D-memristor中的至少一種。
5.一種實現一復雜數學函數的可編程門陣列(400)，其特征在于含有：
一含有至少一可編程計算單元(100)的可編程計算單元陣列(100AA-100AD)，該可編程計算單元(100)含有一三維可寫存儲器（3D-W）陣列(110)并存儲一基本數學函數的至少部分查找表（LUT）；
一含有至少一可編程邏輯單元(200)的可編程邏輯單元陣列(200AA-200AD)，該可編程邏輯單元從一邏輯運算庫中選擇性地實現一種邏輯運算；
多個將該可編程計算單元陣列和該可編程邏輯單元陣列耦合的可編程連接(300)；
該可編程門陣列(400)通過對該可編程計算單元(100AA-100AD)、該可編程邏輯單元(200AA-200AD)和該可編程連接(300)進行編程以實現該復雜數學函數，該復雜數學函數是所述基本數學函數的一種組合。
6.根據權利要求5所述的可編程門陣列(400)，其特征還在于：該可編程計算單元陣列(100AA-100AD)含有堆疊在一半導體襯底(0)上的第一和第二3D-W陣列(110AA, 110AB)，該第二3D-W陣列(110AB)堆疊在該第一3D-W陣列(110AA)上方。
7.根據權利要求6所述的可編程門陣列(400)，其特征還在于：該第一或第二3D-W陣列(110AA或110AB)堆疊在該可編程邏輯單元(200)上方。
8.根據權利要求7所述的可編程門陣列(400)，其特征還在于：該第一或第二3D-W陣列(110AA或110AB)覆蓋至少部分該可編程邏輯單元(200)。
9.根據權利要求6所述的可編程門陣列(400)，其特征還在于：該第一或第二3D-W陣列(110AA或110AB)堆疊在該可編程連接上方(300)。
10.根據權利要求7所述的可編程門陣列(400)，其特征還在于：該第一或第二3D-W陣列(110AA或110AB)覆蓋至少部分該可編程連接(300)。
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