[發(fā)明專利]集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710124498.6 | 申請日: | 2017-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN106898557B | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林章申;林正忠;何志宏;周祖源 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯長電半導(dǎo)體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/07 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 供電 傳輸 系統(tǒng) 封裝 方法 | ||
1.一種集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)提供一載體;
2)采用引線鍵合工藝在所述載體表面金屬引線;
3)將有源模塊及無源模塊設(shè)置于所述載體形成有所述金屬引線的表面上,并在所述有源模塊及所述無源模塊表面形成金屬連接柱;
4)使用塑封材料將所述金屬引線、所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱封裝成型,并去除部分所述塑封材料以裸露出所述金屬引線及所述金屬連接柱;
5)在所述塑封材料表面形成再布線層,所述再布線層包括金屬連線、金屬插塞及設(shè)置于所述金屬連線及金屬插塞周圍的介電層,所述金屬連線用于實現(xiàn)所述金屬引線、所述有源模塊及所述無源模塊的電連接,所述金屬插塞用于實現(xiàn)各層之間的所述金屬連線之間的層間連接;所述有源模塊、所述無源模塊及所述再布線層共同構(gòu)成供電傳輸系統(tǒng);所述供電傳輸系統(tǒng)適于將外部電源提供的高電壓轉(zhuǎn)換成多個不同的低電壓,并提供多條低電壓供電軌道;
6)提供用電芯片,將所述用電芯片設(shè)置于所述再布線層表面,所述用電芯片經(jīng)由多個微凸塊實現(xiàn)與所述低電壓供電軌道的對接;
7)剝離所述載體,形成與所述金屬引線相連接的焊料凸塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法,其特征在于:步驟1)與步驟2)之間還包括在所述載體表面形成剝離層的步驟;步驟2)中,所述金屬引線形成于所述剝離層表面;步驟3)中,所述有源模塊及所述無源模塊設(shè)置于所述剝離層表面;步驟7)中通過去除所述剝離層以剝離所述載體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法,其特征在于:步驟2)中,采用引線鍵合工藝在所述載體表面金屬引線包括如下步驟:
2-1)在所述載體表面需要形成所述金屬引線的位置或在所述載體表面需要形成所述金屬引線的位置及需要設(shè)置有源模塊及無源模塊的位置形成虛擬焊墊;
2-2)采用引線鍵合工藝在對應(yīng)于需要形成所述金屬引線的所述虛擬焊墊上形成所述金屬引線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法,其特征在于:步驟3)中,所述有源模塊的背面及所述無源模塊的背面為與所述載體相結(jié)合的結(jié)合面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法,其特征在于:所述有源模塊包括控制器及降壓變換器;所述無源模塊包括電容、電感及電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法,其特征在于:步驟4)中,使用塑封材料將所述金屬引線、所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱封裝成型的方法包括:壓縮成型、傳遞模塑、液壓成型、真空層壓或旋涂。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法,其特征在于:形成所述金屬連線的方法包括電鍍、化學(xué)鍍及絲網(wǎng)印刷中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法,其特征在于:所述再布線層表面設(shè)置有與所述金屬連線電連接的凸塊金屬層,所述金屬引線、所述有源模塊、所述無源模塊及所述用電芯片經(jīng)由所述凸塊金屬層與所述再布線層相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法,其特征在于:步驟6)與步驟7)之間還包括在所述用電芯片底部的所述微凸塊之間的區(qū)域進(jìn)行底部填充的步驟,以將所述用電芯片固定于所述再布線層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法,其特征在于:在所述用電芯片底部所述微凸塊之間的區(qū)域進(jìn)行底部填充之后,還包括在所述用電芯片周圍及底部填充的底部填充材料周圍形成塑封材料層的步驟。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





