[發明專利]P型PERC雙面太陽能電池及其組件、系統和制備方法有效
| 申請號: | 201710122418.3 | 申請日: | 2017-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN107425080B | 公開(公告)日: | 2019-11-15 |
| 發明(設計)人: | 林綱正;方結彬;陳剛 | 申請(專利權)人: | 廣東愛康太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 44202 廣州三環專利商標代理有限公司 | 代理人: | 胡楓<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址: | 528100廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | perc 雙面 太陽能電池 及其 組件 系統 制備 方法 | ||
本發明公開了一種P型PERC雙面太陽能電池,依次包括背銀電極、背鋁柵線、背面鈍化層、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正銀電極;對背面鈍化層通過激光開槽形成第一激光開槽區,所述第一激光開槽區設于背鋁柵線的下方,所述背鋁柵線通過第一激光開槽區與P型硅相連,所述背鋁柵線的四周設有鋁柵外框,所述鋁柵外框與背鋁柵線、背銀電極相連接;所述第一激光開槽區包括多組水平方向設置的第一激光開槽單元,每一組第一激光開槽單元包括一個或多個水平方向設置的第一激光開槽體,所述背鋁柵線與第一激光開槽體垂直。采用本發明,結構簡單,成本較低、易于推廣、光電轉換效率高。
技術領域
本發明涉及太陽能電池領域,尤其涉及一種P型PERC雙面太陽能電池、以及上述P型PERC雙面太陽能電池的制備方法,采用上述P型PERC雙面太陽能電池的太陽能電池組件,采用上述P型PERC雙面太陽能電池的太陽能系統。
背景技術
晶硅太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能,利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件,當太陽光照在半導體P-N結上,形成新的空穴-電子對,在P-N結電場的作用下,空穴由N區流向P區,電子由P區流向N區,接通電路后就形成電流。
傳統晶硅太陽能電池基本上只采用正面鈍化技術,在硅片正面用PECVD的方式沉積一層氮化硅,降低少子在前表面的復合速率,可以大幅度提升晶硅電池的開路電壓和短路電流,從而提升晶硅太陽電池的光電轉換效率。但是由于硅片的背面沒有鈍化,光電轉換效率的提升仍然受到限制。
現有技術的雙面太陽能電池結構:基底采用N型硅片,當太陽光子照射電池背面時,在N型硅片中產生的載流子穿過厚度約為200微米的硅片,由于N型硅片少子壽命高,載流子復合速率低,部分載流子可以到達正面的p-n結;太陽能電池的正面為主要受光面,其轉換效率占整個電池轉換效率的比例很高;正背面的綜合作用,從而大大提高電池的轉換效率。但是,N型硅片價格高,N型雙面電池工藝復雜;因此,如何開發高效低成本的雙面太陽能電池成為企業和研究者關注的熱點。
另一方面,隨著對晶硅電池的光電轉換效率的要求越來越高,業界一直在研究PERC背鈍化太陽電池技術。業界主流廠家主要在開發單面PERC太陽能電池, 本發明將PERC高效電池和雙面電池結合起來,旨在開發綜合光電轉換效率更高的PERC雙面太陽能電池。
對于PERC雙面太陽能電池,由于光電轉換效率高,同時雙面吸收太陽光,發電量更高,在實際應用中具有更大的使用價值。因此,本發明旨在提出一種工藝簡單、成本較低、易于推廣、光電轉換效率高的P型PERC雙面太陽能電池。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于,提供一種P型PERC雙面太陽能電池,結構簡單,成本較低、易于推廣、光電轉換效率高。
本發明所要解決的技術問題還在于,提供一種P型PERC雙面太陽能電池的制備方法,工藝簡單,成本較低、易于推廣、光電轉換效率高。
本發明所要解決的技術問題還在于,提供一種P型PERC雙面太陽能電池組件,結構簡單,成本較低、易于推廣、光電轉換效率高。
本發明所要解決的技術問題還在于,提供一種P型PERC雙面太陽能系統,結構簡單,成本較低、易于推廣、光電轉換效率高。
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種P型PERC雙面太陽能電池,依次包括背銀電極、背鋁柵線、背面鈍化層、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正銀電極;
對背面鈍化層通過激光開槽形成第一激光開槽區,所述第一激光開槽區設于背鋁柵線的下方,所述背鋁柵線通過第一激光開槽區與P型硅相連,所述背鋁柵線的四周設有鋁柵外框,所述鋁柵外框與背鋁柵線、背銀電極相連接;
所述第一激光開槽區包括多組水平方向設置的第一激光開槽單元,每一組第一激光開槽單元包括一個或多個水平方向設置的第一激光開槽體,所述背鋁柵線與第一激光開槽體垂直。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





