[發明專利]P型PERC雙面太陽能電池及其組件、系統和制備方法有效
| 申請號: | 201710122418.3 | 申請日: | 2017-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN107425080B | 公開(公告)日: | 2019-11-15 |
| 發明(設計)人: | 林綱正;方結彬;陳剛 | 申請(專利權)人: | 廣東愛康太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 44202 廣州三環專利商標代理有限公司 | 代理人: | 胡楓<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址: | 528100廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | perc 雙面 太陽能電池 及其 組件 系統 制備 方法 | ||
1.一種P型PERC雙面太陽能電池,其特征在于,依次包括背銀電極、背鋁柵線、背面鈍化層、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正銀電極;
對背面鈍化層通過激光開槽形成第一激光開槽區,所述第一激光開槽區設于背鋁柵線的下方,所述背鋁柵線通過第一激光開槽區與P型硅相連,所述背鋁柵線的四周設有鋁柵外框,所述鋁柵外框與背鋁柵線、背銀電極相連接;
所述第一激光開槽區包括多組水平方向設置的第一激光開槽單元,每一組第一激光開槽單元包括一個或多個水平方向設置的第一激光開槽體,所述背鋁柵線與第一激光開槽體垂直;
所述背鋁柵線的根數為30-500條,背鋁柵線印刷在平行設置的第一激光開槽區上,使得背鋁柵線通過第一激光開槽區與P型硅形成局部接觸;
所述鋁柵外框的下方設有第二激光開槽區,所述第二激光開槽區包括豎直或水平方向設置的第二激光開槽單元,每一組第二激光開槽單元包括一個或多個豎直或水平方向設置的第二激光開槽體,所述鋁柵外框與第二激光開槽體垂直;
所述背鋁柵線的寬度為30-500微米,所述背鋁柵線的寬度小于所述第一激光開槽體的長度。
2.如權利要求1所述P型PERC雙面太陽能電池,其特征在于,所述第一激光開槽單元之間為平行設置;
每一第一激光開槽單元中,所述第一激光開槽體為并列設置,所述第一激光開槽體處于同一水平面上或上下錯開。
3.如權利要求1所述P型PERC雙面太陽能電池,其特征在于,所述第一激光開槽單元之間的間距為0.5-50mm;
每一第一激光開槽單元中,所述第一激光開槽體之間的間距為0.5-50mm;
所述第一激光開槽體的長度為50-5000微米,寬度為10-500微米。
4.如權利要求1所述P型PERC雙面太陽能電池,其特征在于,所述背面鈍化層包括氧化鋁層和氮化硅層,所述氧化鋁層與P型硅連接,所述氮化硅層與氧化鋁層連接;
所述氮化硅層的厚度為20-500nm;
所述氧化鋁層的厚度為2-50nm。
5.一種如權利要求1-4任一項所述的P型PERC雙面太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括:
(1)在硅片正面和背面形成絨面,所述硅片為P型硅;
(2)對硅片進行擴散,形成N型發射極;
(3)去除擴散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結;
(4)在硅片背面沉積三氧化二鋁膜;
(5)在硅片背面沉積氮化硅膜;
(6)在硅片正面沉積氮化硅膜;
(7)對硅片背面激光開槽,形成第一激光開槽區,所述第一激光開槽區包括多組水平方向設置的第一激光開槽單元,每一組第一激光開槽單元包括一個或多個水平方向設置的第一激光開槽體;
(8)在所述硅片背面印刷背銀主柵電極;
(9)在所述硅片背面,沿著第一激光開槽體的垂直方向印刷鋁漿,得到背鋁柵線,所述背鋁柵線與第一激光開槽體垂直;
(10)在所述硅片背面沿著背鋁柵線的四周印刷鋁漿,得到鋁柵外框;
(11)在所述硅片正面印刷正電極漿料;
(12)對硅片進行高溫燒結,形成背銀電極和正銀電極;
(13)對硅片進行抗LID退火。
6.如權利要求5所述P型PERC雙面太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟(3)和(4)之間,還包括:
對硅片背面進行拋光。
7.如權利要求6所述P型PERC雙面太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟(7)還包括:
對硅片背面激光開槽,形成第二激光開槽區,所述第二激光開槽區包括豎直或水平方向設置的第二激光開槽單元,每一組第二激光開槽單元包括一個或多個豎直或水平方向設置的第二激光開槽體;
所述第二激光開槽體與鋁柵外框垂直。
8.一種PERC太陽能電池組件,其特征在于,包括PERC太陽能電池和封裝材料,其特征在于,所述PERC太陽能電池是權利要求1-4任一項所述的P型PERC雙面太陽能電池。
9.一種PERC太陽能系統,包括PERC太陽能電池,其特征在于,所述PERC太陽能電池是權利要求1-4任一項所述的P型PERC雙面太陽能電池。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





