[發(fā)明專利]一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710119536.9 | 申請日: | 2017-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN106950646A | 公開(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馮松;薛斌;李連碧;雷倩倩;楊延飛;宋立勛;翟學(xué)軍;朱長軍 | 申請(專利權(quán))人: | 西安工程大學(xué) |
| 主分類號: | G02B6/12 | 分類號: | G02B6/12;G02B6/122 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務(wù)所61214 | 代理人: | 楊璐 |
| 地址: | 710048 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 內(nèi)外 雙微環(huán) 諧振器 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光電子器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
微環(huán)諧振器是一種光波在微環(huán)波導(dǎo)和直波導(dǎo)中來回偶合,從而提供光能反饋的器件,可用以實現(xiàn)通信與信號處理中的濾波、調(diào)制、開關(guān)及延時等功能,是一種非常重要的諧振器。
隨著光通信技術(shù)和信息產(chǎn)業(yè)化的迅速發(fā)展,不僅對光通信系統(tǒng)提出了更高的要求,對光通信器件也提出了微型化、集成化的要求。微環(huán)諧振器具有Q值高、速度高、損耗低、結(jié)構(gòu)簡單及尺寸小等優(yōu)點,并且與集成電路制作工藝相兼容,因此微環(huán)諧振器逐漸成為了硅基光電子器件的核心元件。
微環(huán)諧振器通過在光波導(dǎo)上刻蝕,形成半徑為幾十微米到幾百微米的環(huán)形波導(dǎo),以及與環(huán)形波導(dǎo)相偶合的直波導(dǎo),它既可以是只有一個環(huán)的簡單結(jié)構(gòu),也可以由多個環(huán)通過串聯(lián)、并聯(lián)等方式構(gòu)成陣列。當(dāng)耦合進(jìn)微環(huán)的光滿足環(huán)形諧振條件時,光在微環(huán)里因為相位相同而形成正反饋,發(fā)生諧振,從另一條光波導(dǎo)耦合出去。反之,不滿足諧振條件的光則從原波導(dǎo)直接輸出,從而實現(xiàn)了一個上下路濾波的作用。
單微環(huán)諧振器由于其光譜響應(yīng)不平坦,呈上凸形的洛倫茲分布,當(dāng)器件因工藝誤差或因溫度變化而引起光譜漂移時,器件不能正常工作。為了克服單微環(huán)諧振器這個缺點,可把多個微環(huán)并聯(lián)或串聯(lián)起來形成微環(huán)諧振器陣列,適當(dāng)選擇結(jié)構(gòu)參量,可獲得十分平坦的“箱形”光譜響應(yīng)。這種串聯(lián)或并聯(lián)方式的多環(huán)微環(huán)諧振器固然能克服單微環(huán)諧振器的缺點,但隨著環(huán)數(shù)的增加,器件整體尺寸也會逐漸增加,如何在不增加器件尺寸的情況下克服單微環(huán)諧振器的缺點,是值得研究的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)是在常規(guī)單微環(huán)諧振器的基礎(chǔ)上,在單個微環(huán)的內(nèi)部增加一個微環(huán),形成內(nèi)外雙環(huán)的微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu),具有諧振峰平坦和自由光譜范圍大的優(yōu)點。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是,一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu),包括有N-Sub型襯底,N-Sub型襯底的頂部設(shè)置有SiO2埋層,SiO2埋層頂部的兩側(cè)分別設(shè)置有上側(cè)直波導(dǎo)和下側(cè)直波導(dǎo),SiO2埋層頂部的中間分別設(shè)置有外環(huán)形波導(dǎo)和內(nèi)環(huán)形波導(dǎo)。
本發(fā)明的特點還在于:
N-Sub型襯底的摻雜濃度為1×1014cm-3~1×1015cm-3,摻雜劑為P離子;N-Sub型襯底的高度為100μm~300μm,寬度為2.1μm~2.6μm。
SiO2埋層的高度為1μm~2μm,寬度為2.1μm~2.6μm。
上側(cè)直波導(dǎo)的摻雜濃度為1×1014cm-3~1×1015cm-3,摻雜劑為P離子;上側(cè)直波導(dǎo)的高度為180nm~220nm,寬度為400nm~600nm。
下側(cè)直波導(dǎo)的摻雜濃度為1×1014cm-3~1×1015cm-3,摻雜劑為P離子;下側(cè)直波導(dǎo)的高度為180nm~220nm,寬度為400nm~600nm。
外環(huán)形波導(dǎo)的摻雜濃度為1×1014cm-3~1×1015cm-3,摻雜劑為P離子;外環(huán)形波導(dǎo)的高度為180nm~220nm,寬度為400nm~600nm,半徑為3μm~10μm。
內(nèi)環(huán)形波導(dǎo)的摻雜濃度為1×1014cm-3~1×1015cm-3,摻雜劑為P離子;內(nèi)環(huán)形波導(dǎo)的高度為180nm~220nm,寬度為400nm~600nm,半徑為2.8μm~9.5μm。
本發(fā)明的有益效果在于:
(1)本發(fā)明的內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)是一種新型微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu),是在常規(guī)單微環(huán)諧振器的基礎(chǔ)上,在單個微環(huán)的內(nèi)部增加一個微環(huán),形成內(nèi)外雙環(huán)的微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu),改善了諧振特性,具有平坦的諧振峰。
(2)本發(fā)明的內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu),在制作過程中只需要改變環(huán)形波導(dǎo)區(qū)的光刻版圖形狀,不需要增加額外的工藝,易于實現(xiàn),是一種理想的微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)。
(3)本發(fā)明的內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)能改善諧振特性,有效增大微環(huán)諧振器的自由光譜范圍。
附圖說明
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