[發(fā)明專利]一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710119536.9
• 申請(qǐng)日: 2017-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN106950646A
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮松;薛斌;李連碧;雷倩倩;楊延飛;宋立勛;翟學(xué)軍;朱長(zhǎng)軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安工程大學(xué)
• 主分類號(hào): G02B6/12
• 分類號(hào): G02B6/12;G02B6/122
• 代理公司: 西安弘理專利事務(wù)所61214
• 代理人: 楊璐

1.一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括N-Sub型襯底(1)，所述N-Sub型襯底(1)的頂部設(shè)置有SiO₂埋層(2)，在所述SiO₂埋層頂部的兩側(cè)分別設(shè)置有上側(cè)直波導(dǎo)(3)和下側(cè)直波導(dǎo)(4)，在所述SiO₂埋層頂部的中間分別設(shè)置有外環(huán)形波導(dǎo)(5)和內(nèi)環(huán)形波導(dǎo)(6)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N-Sub型襯底(1)的摻雜濃度為1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，所述摻雜劑為P離子；

所述N-Sub型襯底(1)的高度為100μm～300μm，寬度為2.1μm～2.6μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述SiO₂埋層(2)的高度為1μm～2μm，寬度為2.1μm～2.6μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上側(cè)直波導(dǎo)(3)的摻雜濃度為1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，摻雜劑為P離子；

所述上側(cè)直波導(dǎo)(3)的高度為180nm～220nm，寬度為400nm～600nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下側(cè)直波導(dǎo)(4)的摻雜濃度為1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，所述摻雜劑為P離子；

所述下側(cè)直波導(dǎo)(4)的高度為180nm～220nm，寬度為400nm～600nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外環(huán)形波導(dǎo)(5)的摻雜濃度為1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，所述摻雜劑為P離子；

所述外環(huán)形波導(dǎo)(5)的高度為180nm～220nm，寬度為400nm～600nm，半徑為3μm～10μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)外雙微環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述內(nèi)環(huán)形波導(dǎo)(6)的摻雜濃度為1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，所述摻雜劑為P離子；

所述內(nèi)環(huán)形波導(dǎo)(6)的高度為180nm～220nm，寬度為400nm～600nm，半徑為2.8μm～9.5μm。