[發(fā)明專利]一種實(shí)現(xiàn)TVS芯片WLCSP六面塑封的結(jié)構(gòu)及工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710118709.5 | 申請日： | 2017-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN107068628A | 公開（公告）日： | 2017-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳昊;余曉明 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海長園維安微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海諾衣知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31298 | 代理人： | 韓國輝 |
| 地址： | 201202 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 實(shí)現(xiàn) tvs 芯片 wlcsp 塑封 結(jié)構(gòu) 工藝 | ||
1.一種實(shí)現(xiàn)TVS芯片WLCSP六面塑封的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括晶圓層，所述晶圓層的一側(cè)面上制備有金屬凸點(diǎn)，取相鄰金屬凸點(diǎn)作為一對，所述晶圓上每一對金屬凸點(diǎn)的四周切割有空隙，所述空隙為具有長方形截面的溝槽，空隙的深度不大于所述晶圓層的高度。
2.一種實(shí)現(xiàn)TVS芯片WLCSP六面塑封的工藝，其特征在于，包括以下步驟：
(1)與常規(guī)的WLCSP工藝一樣，首先在晶圓正面完成金屬凸點(diǎn)制備；
(2)按照最終TVS產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)對晶圓進(jìn)行切割制備空隙，切割時(shí)控制空隙的深度，不能將晶圓切透；
(3)從晶圓正面向下完成第一次塑封，覆蓋步驟(2)切割所得到的空隙；
(4)從晶圓正面進(jìn)行晶圓減薄，保證電極露出來；如果需要電極高于塑封表面，在金屬凸點(diǎn)出進(jìn)行一次植球或者鍍層工藝；
(5)從晶圓背面進(jìn)行晶圓減薄，減薄至最終TVS產(chǎn)品的尺寸要求；
(6)對晶圓背面進(jìn)行塑封，完成對晶圓背面的保護(hù)；
(7)沿著步驟(2)制備的空隙的中心進(jìn)行切割，割透，完成芯片的分離。
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