[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及氣體供給系統

有效

• 申請號: 201710118278.2
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN107180749B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 渡橋由悟;湯淺和宏;森谷敦;中磯直春
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種半導體器件的制造方法，具有：

通過將下述循環進行規定次數，從而在襯底上形成晶種層的工序，所述循環包含對所述襯底供給鹵系的第一處理氣體的工序和對所述襯底供給非鹵系的第二處理氣體的工序；以及

對所述襯底供給第三處理氣體從而在所述晶種層上形成膜的工序，

所述形成晶種層的工序包含在所述循環中在供給所述第二處理氣體的工序前與供給所述第一處理氣體的工序同時地供給含氫氣體。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述形成晶種層的工序進一步具有：

從所述襯底存在的空間排出所述第一處理氣體的工序，

且包含同時進行排出所述第一處理氣體的工序和供給含氫氣體的工序的期間。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述形成晶種層的工序包含同時進行供給所述第二處理氣體的工序和供給含氫氣體的工序的期間。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述形成晶種層的工序，進一步具有：

從所述襯底存在的空間排出所述第二處理氣體的工序，

且包含同時進行排出所述第二處理氣體的工序和供給所述含氫氣體的工序的期間。

5.根據權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述形成晶種層的工序，進一步具有：

從所述襯底存在的空間排出所述第二處理氣體的工序，

且進一步包含同時進行排出所述第二處理氣體的工序和供給含氫氣體的工序的期間。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，所述形成晶種層的工序包含：與供給所述第一處理氣體的工序同時地供給含氫氣體，和同時進行供給所述第二處理氣體的工序和供給所述含氫氣體的工序的期間。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述形成晶種層的工序，進一步具有：

從所述襯底存在的空間排出所述第一處理氣體的工序，和

從所述襯底存在的空間排出所述第二處理氣體的工序，

且所述形成晶種層的工序進一步包含：

同時進行排出所述第一處理氣體的工序和供給所述含氫氣體的工序的期間，和

同時進行排出所述第二處理氣體的工序和供給所述含氫氣體的工序的期間。

8.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其中，使與供給所述第一處理氣體的工序同時供給的所述含氫氣體的供給流量小于與供給所述第二處理氣體的工序同時供給的所述含氫氣體的供給流量。

9.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其中，使與供給所述第一處理氣體的工序同時供給的所述含氫氣體的供給流量大于與供給所述第二處理氣體的工序同時供給的所述含氫氣體的供給流量。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述形成晶種層的工序包含，在實施了供給含氫氣體的工序的狀態下，交替進行供給所述第一處理氣體的工序、和供給所述第二處理氣體的工序的期間。