[發明專利]過孔的制備方法、陣列基板的制備方法及陣列基板

有效

• 申請號: 201710117979.4
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN106707649B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: 段獻學;宮奎
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

一種過孔的制備方法、陣列基板的制備方法以及陣列基板。該過孔的制備方法包括：提供襯底基板；在襯底基板上形成絕緣層；采用第一次刻蝕工藝刻蝕絕緣層以在絕緣層中形成凹槽；對絕緣層的由凹槽暴露的部分進行離子注入，以形成離子注入區；采用第二次刻蝕工藝刻蝕離子注入區內的絕緣層以形成貫穿絕緣層的過孔。該過孔的制備方法利用離子注入工藝，對絕緣層進行離子注入，增大離子注入區內的絕緣層密度，從而避免其被嚴重側向刻蝕而產生底切倒角，提高了過孔的質量，保證了過孔的有效性，改善或消除了利用該過孔進行電連接的像素電極與源漏電極層之間接觸跨斷的不良現象。

技術領域

本公開的實施例涉及一種過孔的制備方法、陣列基板的制備方法及陣列基板。

背景技術

對于液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置而言，顯示基板的質量十分重要，而在制備顯示基板的制備方法中，需要在已經形成有薄膜晶體管的顯示基板上沉積絕緣層，利用干法刻蝕技術在絕緣層上進行刻蝕，以形成過孔，然后在絕緣層上形成像素電極，像素電極可以通過該過孔與薄膜晶體管進行電連接，從而進行數據傳輸。

傳統顯示基板的制備工藝中，絕緣層具有多層絕緣子層結構，其各絕緣子層的刻蝕速率不同。最底部絕緣子層的刻蝕速率大于其相鄰上方的絕緣子層的刻蝕速率，導致最底部絕緣子層刻蝕過快，過孔在絕緣層底部形成內階梯狀的倒鉤角，產生底切不良，底切不良會造成像素電極與薄膜晶體管的源漏電極層之間接觸跨斷，從而導致顯示裝置顯示異?；驘o法顯示，降低顯示裝置的品質和良率。

發明內容

本公開至少一實施例提供一種過孔的制備方法，包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上形成絕緣層；采用第一次刻蝕工藝刻蝕所述絕緣層以在所述絕緣層中形成凹槽；對所述絕緣層的由所述凹槽暴露的部分進行離子注入，以形成離子注入區；采用第二次刻蝕工藝刻蝕所述離子注入區內的絕緣層以形成貫穿所述絕緣層的過孔。

本公開至少一實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括上述過孔的制備方法。

本公開至少一實施例提供一種陣列基板，包括：襯底基板；設置在所述襯底基板上的絕緣層；貫穿所述絕緣層的過孔；其中，所述絕緣層包括依次設置在所述襯底基板上的第一絕緣子層和第二絕緣子層，所述第一絕緣子層包括靠近所述過孔的第一部分和遠離所述過孔的第二部分，所述第一部分的密度大于所述第二部分的密度。

本公開至少一實施例提供一種過孔的制備方法、陣列基板的制備方法以及陣列基板。該過孔的制備方法利用離子注入工藝，對絕緣層進行離子注入，增大離子注入區內的絕緣層密度，從而避免其被嚴重側向刻蝕而產生底切倒角，提高了過孔的質量，保證了過孔的有效性，改善或消除了利用該過孔進行電連接的像素電極與源漏電極層之間接觸跨斷的不良現象，提高了像素電極與源漏電極層之間電連接的穩定性，提升了產品的品質和良率。

需要理解的是本公開的上述概括說明和下面的詳細說明都是示例性和解釋性的，用于進一步說明所要求的發明。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。

圖1為一種絕緣層過孔的結構示意圖；

圖2為本公開一實施例提供的一種過孔的制備方法的流程圖；

圖3a-3f為本公開一實施例提供的一種過孔的制備方法的過程圖；

圖4a-4c為本公開一實施例提供的一種陣列基板的制備方法的過程圖。

具體實施方式