[發明專利]過孔的制備方法、陣列基板的制備方法及陣列基板

有效

• 申請號: 201710117979.4
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN106707649B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: 段獻學;宮奎
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種過孔的制備方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上形成絕緣層；

采用第一次刻蝕工藝刻蝕所述絕緣層以在所述絕緣層中形成凹槽；

對所述絕緣層的由所述凹槽暴露的部分進行離子注入，以形成離子注入區；

采用第二次刻蝕工藝刻蝕所述離子注入區內的絕緣層以形成貫穿所述絕緣層的過孔。

2.根據權利要求1所述的過孔的制備方法，其中，所述在所述襯底基板上形成絕緣層包括：

在所述襯底基板上依次形成第一絕緣子層和第二絕緣子層，進行所述離子注入前，所述第一絕緣子層的密度小于所述第二絕緣子層。

3.根據權利要求2所述的過孔的制備方法，其中，所述采用第一次刻蝕工藝刻蝕所述絕緣層以形成凹槽包括：

對所述第二絕緣子層進行刻蝕，并且在所述凹槽暴露出所述第一絕緣子層時停止刻蝕。

4.根據權利要求3所述的過孔的制備方法，其中，在所述離子注入中，對所述第一絕緣子層的由所述凹槽暴露的部分進行所述離子注入。

5.根據權利要求4所述的過孔的制備方法，其中，進行所述離子注入后，所述離子注入區內的第一絕緣子層的密度變大。

6.根據權利要求5所述的過孔的制備方法，其中，進行所述離子注入后，所述離子注入區內的第一絕緣子層的密度大于所述第二絕緣子層的密度。

7.根據權利要求2所述的過孔的制備方法，其中，形成所述絕緣層還包括：

在所述第二絕緣子層上形成第三絕緣子層，所述第三絕緣子層的密度小于所述第二絕緣子層的密度。

8.根據權利要求1-7任一項所述的過孔的制備方法，其中，所述離子為氮離子或氧離子。

9.根據權利要求8所述的過孔的制備方法，其中，所述絕緣層的材料為氮化硅。

10.根據權利要求1所述的過孔的制備方法，其中，在進行所述第一次刻蝕工藝之前，所述方法還包括在所述絕緣層上涂覆光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光和顯影以形成光刻膠圖案；所述第一次刻蝕工藝以所述光刻膠圖案為掩模進行。

11.一種陣列基板的制備方法，包括權利要求1-10任一項所述的過孔的制備方法。

12.根據權利要求11所述的陣列基板的制備方法，還包括：

在所述襯底基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏電極層和公共電極；

其中，所述絕緣層形成在所述公共電極上且與所述公共電極直接接觸，且所述過孔暴露所述源漏電極層中的源極或漏極。

13.根據權利要求12所述的陣列基板的制備方法，還包括：

在形成有所述過孔的絕緣層上形成像素電極，

其中，所述像素電極通過所述過孔與所述源極或漏極電連接。

14.一種陣列基板，包括：

襯底基板；

設置在所述襯底基板上的絕緣層；

貫穿所述絕緣層的過孔；

其中，所述絕緣層包括依次設置在所述襯底基板上的第一絕緣子層和第二絕緣子層，所述第一絕緣子層包括靠近所述過孔的第一部分和遠離所述過孔的第二部分，所述第一部分的密度大于所述第二部分的密度。

15.根據權利要求14所述的陣列基板，還包括：

依次設置在所述襯底基板上并且在所述襯底基板和所述絕緣層之間的柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏電極層和公共電極；

設置在所述絕緣層上的像素電極，

其中，所述絕緣層與所述公共電極直接接觸，且所述像素電極通過所述過孔與所述源漏電極層中的源極或漏極電連接。