[發明專利]反應腔室有效
| 申請號: | 201710117649.5 | 申請日: | 2017-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN108538745B | 公開(公告)日: | 2022-01-07 |
| 發明(設計)人: | 聶淼;韋剛;郭士選 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應 | ||
1.一種反應腔室,包括接地的腔體,在所述腔體內設置有下電極和內襯組件,所述內襯組件包括襯環,所述襯環包括環形凸臺、筒體和環形部,所述筒體的上端與所述環形凸臺連接,所述環形凸臺的下表面搭接在所述腔體的頂部端面上,以通過所述腔體接地;所述環形凸臺的下表面與所述腔體的頂部端面之間還設置有密封圈,所述密封圈相對于所述腔體的頂部端面凸出;所述環形部水平設置在所述筒體的下端,且環繞在所述下電極的周圍,并且在所述環形部上設置有沿其周向環繞的多個第一篩孔,其特征在于,所述內襯組件還包括環形墊板,
所述環形墊板疊置在所述環形部上,且在所述環形墊板上設置有多個第二篩孔,所述第二篩孔的數量與所述第一篩孔的數量相對應,且所述第二篩孔與所述第一篩孔一一對應地設置;所述第一篩孔和所述第二篩孔均用于湮滅等離子體;所述環形墊板由導電材料制成;
每個所述第二篩孔的形狀被設置為使所述環形部的部分表面通過所述第二篩孔暴露在所述腔體的內部環境中;
所述第一篩孔的深度為2~4mm;所述第二篩孔的深度為2~8mm。
2.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,每個所述第一篩孔包括第一長形孔,所述第一長形孔的長徑軸線沿所述環形部的徑向設置。
3.根據權利要求2所述的反應腔室,其特征在于,每個所述第二篩孔包括第二長形孔,所述第二長形孔的形狀與所述第一長形孔的形狀相同。
4.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,每個所述第一篩孔包括第一長形孔,所述第一長形孔的長徑軸線沿所述環形部的徑向設置;
每個所述第二篩孔包括第二長形孔及一個或多個擴孔,其中,所述第二長形孔的形狀與所述第一長形孔的形狀相同;
所述擴孔的沿所述環形墊板徑向的軸線與所述第二長形孔的縱向軸線重合,且多個所述擴孔沿所述第二長形孔的縱向軸線方向間隔設置;所述擴孔沿所述第二長形孔的短徑方向的直徑大于所述第二長形孔的短徑。
5.根據權利要求2-4任意一項所述的反應腔室,其特征在于,所述第一長形孔的短徑為3~6mm。
6.根據權利要求1-4任意一項所述的反應腔室,其特征在于,所述內襯組件還包括第一真空螺釘;
在所述環形部上,且位于所述第一篩孔的內側設置有沿其周向間隔分布的多個第一固定孔;在所述環形墊板上設置有沿其周向間隔分布的多個第二固定孔,所述第二固定孔的數量與所述第一固定孔的數量相對應,且所述第二固定孔與所述第一固定孔一一對應地設置;
所述第一真空螺釘安裝在所述第一固定孔和所述第二固定孔中,以將所述環形部和所述環形墊板固定在一起。
7.根據權利要求6所述的反應腔室,其特征在于,所述內襯組件還包括第一絕緣帽,所述第一絕緣帽覆蓋所述第一真空螺釘暴露在所述腔體的內部環境中的部分。
8.根據權利要求1-4任意一項所述的反應腔室,其特征在于,所述內襯組件還包括接地部件,所述接地部件分別與所述環形部和所述下電極連接,用以使所述環形部通過所述下電極接地。
9.根據權利要求8所述的反應腔室,其特征在于,所述下電極包括下電極本體和接口盤,其中,
所述下電極本體通過所述腔體接地;
所述接口盤環繞設置在所述下電極本體的側壁上;
所述接地部件設置在所述接口盤上,且分別與所述環形部和接口盤電連接。
10.根據權利要求9所述的反應腔室,其特征在于,所述內襯組件還包括第二真空螺釘;
在所述接地部件上設置有沿其周向間隔分布的多個第三固定孔;在所述接口盤上設置有沿其周向間隔分布的多個第四固定孔,所述第三固定孔的數量與所述第四固定孔的數量相對應,且所述第三固定孔與所述第四固定孔一一對應地設置;
所述第二真空螺釘安裝在所述第三固定孔和所述第四固定孔中,以將所述接地部件和所述接口盤固定在一起。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





