[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710117649.5
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN108538745B
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 聶淼;韋剛;郭士選
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室，其包括接地的腔體，在腔體內(nèi)設(shè)置有下電極和內(nèi)襯組件，內(nèi)襯組件包括襯環(huán)，襯環(huán)包括筒體和環(huán)形部，筒體的上端與腔體連接，并通過腔體接地；環(huán)形部水平設(shè)置在筒體的下端，且環(huán)繞在所述下電極的周圍，并且在環(huán)形部上設(shè)置有沿其周向環(huán)繞的多個第一篩孔。內(nèi)襯組件還包括環(huán)形墊板，環(huán)形墊板疊置在環(huán)形部上，且在環(huán)形墊板上設(shè)置有多個第二篩孔，第二篩孔的數(shù)量與第一篩孔的數(shù)量相對應(yīng)，且第二篩孔與第一篩孔一一對應(yīng)地設(shè)置。本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室，其可以有效地將經(jīng)過該篩孔的等離子體在篩孔表面泯滅，從而可以避免射頻泄漏。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種反應(yīng)腔室。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備中，通常將由射頻電源提供的射頻能量傳輸?shù)椒磻?yīng)腔室中，電離高真空狀態(tài)下的特殊氣體(如氬氣Ar、氦氣He、氮氣N2、氫氣H2等)，產(chǎn)生含有大量的電子、離子、激發(fā)態(tài)的原子、分子和自由基等活性粒子的等離子體，這些活性粒子和置于反應(yīng)腔室中并曝露在等離子體環(huán)境下的晶圓之間發(fā)生復(fù)雜的相互作用，使晶圓材料表面發(fā)生各種物理和化學(xué)反應(yīng)，從而使晶圓材料表面性能發(fā)生變化，從而完成晶圓的刻蝕工藝。

當(dāng)反應(yīng)腔室起輝，并加載高射頻功率時，反應(yīng)腔室內(nèi)部布滿等離子體。為了避免射頻泄漏，需要將反應(yīng)腔室與內(nèi)襯接地，以實現(xiàn)自由等離子體接地。圖1為現(xiàn)有的一種反應(yīng)腔室的剖視圖。請參閱圖1，反應(yīng)腔室包括接地的腔體1，在腔體1內(nèi)設(shè)置有下電極2和襯環(huán)3，其中，襯環(huán)3環(huán)繞在下電極3的周圍，且襯環(huán)3的定位端面31與腔體1的上端面接觸，從而實現(xiàn)襯環(huán)3接地。襯環(huán)3的下端水平設(shè)置有環(huán)形部32，該環(huán)形部32環(huán)繞在下電極3的周圍，且在環(huán)形部32上設(shè)置有沿其周向環(huán)繞的篩孔(圖中未示出)，用以將經(jīng)過該篩孔的等離子體在篩孔表面泯滅。

上述反應(yīng)腔室在實際應(yīng)用中不可避免地存在以下問題：

為了保證固定襯環(huán)3時，襯環(huán)3能夠具有一定的彈性變形，環(huán)形部32的深度，即篩孔的深度不宜過大，但是目前的篩孔深度不能有效地將經(jīng)過該篩孔的等離子體在篩孔表面泯滅，從而容易導(dǎo)致射頻泄漏。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種反應(yīng)腔室，其可以有效地將經(jīng)過該篩孔的等離子體在篩孔表面泯滅，從而可以避免射頻泄漏。

為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種反應(yīng)腔室，包括接地的腔體，在所述腔體內(nèi)設(shè)置有下電極和內(nèi)襯組件，所述內(nèi)襯組件包括襯環(huán)，所述襯環(huán)包括筒體和環(huán)形部，所述筒體的上端與所述腔體連接，并通過所述腔體接地；所述環(huán)形部水平設(shè)置在所述筒體的下端，且環(huán)繞在所述下電極的周圍，并且在所述環(huán)形部上設(shè)置有沿其周向環(huán)繞的多個第一篩孔，所述內(nèi)襯組件還包括環(huán)形墊板，

所述環(huán)形墊板疊置在所述環(huán)形部上，且在所述環(huán)形墊板上設(shè)置有多個第二篩孔，所述第二篩孔的數(shù)量與所述第一篩孔的數(shù)量相對應(yīng)，且所述第二篩孔與所述第一篩孔一一對應(yīng)地設(shè)置。

優(yōu)選的，所述第一篩孔的深度為2～4mm。

優(yōu)選的，所述第二篩孔的深度為2～8mm。

優(yōu)選的，每個所述第一篩孔包括第一長形孔，所述第一長形孔的長徑軸線沿所述環(huán)形部的徑向設(shè)置。

優(yōu)選的，每個所述第二篩孔包括第二長形孔，所述第二長形孔的形狀與所述第一長形孔的形狀相同。

優(yōu)選的，每個所述第二篩孔的形狀被設(shè)置為使所述環(huán)形部的部分表面通過所述第二篩孔暴露在所述腔體的內(nèi)部環(huán)境中。

優(yōu)選的，每個所述第一篩孔包括第一長形孔，所述第一長形孔的長徑軸線沿所述環(huán)形部的徑向設(shè)置；

每個所述第二篩孔包括第二長形孔及一個或多個擴(kuò)孔，其中，所述第二長形孔的形狀與所述第一長形孔的形狀相同；