[發(fā)明專利]半導(dǎo)體加工設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710117026.8 | 申請日: | 2017-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN108538743A | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 肖德志 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電轉(zhuǎn)換器 半導(dǎo)體加工設(shè)備 透鏡 光學(xué)發(fā)射光譜 接收器 監(jiān)測裝置 透明窗 譜線 腔室 接收光電轉(zhuǎn)換器 發(fā)送 室內(nèi) 半導(dǎo)體工業(yè) 電信號監(jiān)測 光信號轉(zhuǎn)換 復(fù)原處理 工藝狀態(tài) 算法軟件 相對設(shè)置 信號聚焦 不透光 腔室壁 出射 筒體 工程師 體內(nèi) 應(yīng)用 分析 | ||
本發(fā)明提供了半導(dǎo)體加工設(shè)備,包括腔室和光學(xué)發(fā)射光譜監(jiān)測裝置,在腔室的腔室壁上設(shè)置有透明窗,光學(xué)發(fā)射光譜監(jiān)測裝置包括透鏡、不透光的筒體、光電轉(zhuǎn)換器和接收器;透鏡和光電轉(zhuǎn)換器設(shè)置在筒體內(nèi),透鏡,與透明窗相對設(shè)置,用于將腔室內(nèi)自透明窗出射的光信號聚焦至光電轉(zhuǎn)換器上;光電轉(zhuǎn)換器,用于將光信號轉(zhuǎn)換為電信號并發(fā)送至接收器;接收器,用于接收光電轉(zhuǎn)換器發(fā)送的電信號,以根據(jù)電信號監(jiān)測腔室內(nèi)的工藝狀態(tài)。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備,其光學(xué)發(fā)射光譜監(jiān)測裝置不僅能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體工業(yè)上的應(yīng)用,而且成本較低、結(jié)構(gòu)簡單;不需要采用現(xiàn)有的算法軟件進行譜線復(fù)原處理,從而使得整個過程相對較簡單,而且操作工程師不需要對譜線進行分析。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微電子加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備。
背景技術(shù)
工藝的終點控制技術(shù)是半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)中比較關(guān)鍵的技術(shù)。隨著刻蝕關(guān)鍵尺寸的逐漸減小和基片膜層結(jié)構(gòu)的逐漸復(fù)雜,對終點控制的要求也就越來越高。現(xiàn)有的實現(xiàn)工藝終點控制的方法主要是光學(xué)發(fā)射光譜(Optical Emission Spectroscopy,簡稱OES)監(jiān)測方法,其主要原理是:獲取工藝刻蝕過程中產(chǎn)生的聚合物發(fā)射出的光信號,根據(jù)該光信號的光譜采用閾值控制方法或斜率控制方法來準(zhǔn)確抓取工藝終點。
請參閱圖1,圖1為具有現(xiàn)有的采用OES監(jiān)測裝置的腔室的結(jié)構(gòu)示意圖,該OES監(jiān)測裝置主要應(yīng)用了包含光譜儀和算法軟件的光譜儀系統(tǒng),具體地,腔室1內(nèi)產(chǎn)生的等離子體2輻射出的光信號經(jīng)過光纖optical fiber進入光譜儀spectrometer經(jīng)過光柵grating衍射分光后再聚焦至電荷耦合元件(Charge-coupled Device,簡稱CCD)進行光電信號轉(zhuǎn)換后經(jīng)過放大器amplifier進行信號放大,放大后的信號還需要通過算法軟件recorder進行譜線復(fù)原處理,由于工藝氣體放電輻射的特征譜線的強度隨著時間的變化反應(yīng)工藝過程的變化,因此,需要在線監(jiān)測該特征譜線。
由于上述在OES控制裝置會存在以下問題:
其一,光譜儀系統(tǒng)的價格一般較為昂貴,造成成本較高;
其二,需要借助光譜儀系統(tǒng)中的算法軟件進行譜線復(fù)原處理,使得整個過程較復(fù)雜;
其三,特征譜線是經(jīng)光柵衍射分光后的信號,其強度很弱,對于特定的集成化光譜儀其CCD放大能力一定情況下,特征譜線強度可能在整個光譜范圍內(nèi)其強度并不是很強,這樣就會造成信噪比較低,不能準(zhǔn)確反映工藝過程變化以及拐點變化趨勢不明顯;
其四,針對復(fù)雜應(yīng)用時,例如,當(dāng)工藝過程中,兩個工藝步驟間采用同一特征譜線作為標(biāo)定監(jiān)測,如SF6與C4F8均采用F原子譜線時,能否單獨通過檢測F的輻射強度來反映過程變化,是否還需進行相應(yīng)的數(shù)據(jù)處理,需要工程師進行確認(rèn),此時對工程師要求較高,需對光譜分析有一定的掌握;最后,復(fù)雜的算法與數(shù)據(jù)分析處理對使用者要求較高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一,提出了一種半導(dǎo)體加工設(shè)備,其光學(xué)發(fā)射光譜監(jiān)測裝置不僅能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體工業(yè)上的應(yīng)用,而且成本較低、結(jié)構(gòu)簡單;不需要采用現(xiàn)有的算法軟件進行譜線復(fù)原處理,從而使得整個過程相對較簡單,而且操作工程師不需要對譜線進行分析。
為解決上述問題之一,本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體加工設(shè)備,包括腔室和光學(xué)發(fā)射光譜監(jiān)測裝置,在所述腔室的腔室壁上設(shè)置有透明窗,所述光學(xué)發(fā)射光譜監(jiān)測裝置包括透鏡、不透光的筒體、光電轉(zhuǎn)換器和接收器;所述透鏡和所述光電轉(zhuǎn)換器設(shè)置在所述筒體內(nèi),所述透鏡,與所述透明窗相對設(shè)置,用于將所述腔室內(nèi)自所述透明窗出射的光信號聚焦至光電轉(zhuǎn)換器上;所述光電轉(zhuǎn)換器,用于將所述光信號轉(zhuǎn)換為電信號并發(fā)送至接收器;所述接收器,用于接收所述光電轉(zhuǎn)換器發(fā)送的電信號,以根據(jù)所述電信號監(jiān)測腔室內(nèi)的工藝狀態(tài)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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