[發明專利]熱處理裝置在審
| 申請號: | 201710116541.4 | 申請日: | 2017-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN107342244A | 公開(公告)日: | 2017-11-10 |
| 發明(設計)人: | 和田賴彥 | 申請(專利權)人: | 光洋熱系統股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 李輝,黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及熱處理裝置。
背景技術
已知用于對半導體基板等被處理物進行熱處理的熱處理裝置(例如,參照下述的文獻1)。作為熱處理裝置的一例,文獻1所記載的熱處理裝置具有:被隔熱件包圍的加熱器;和被加熱器包圍的石英管。另外,連接有貫通隔熱件的管,在該管上連接有鼓風機。
在通過加熱器的加熱對石英管內的被處理物進行熱處理后,使鼓風機動作,從而將冷卻空氣導入石英管。由此,石英管和被處理物被冷卻。此時,控制鼓風機的控制部對加熱器的輸出和鼓風機的風量進行控制,以使石英管的實際溫度與目標溫度的偏差為零。這樣,已知在石英管的強制冷卻中使用鼓風機的結構。
文獻1:日本特開平1-282619號公報
另外,在使用鼓風機對石英管等容器進行強制冷卻的結構中,可以考慮使用多個阻尼器的結構。例如,在該結構中,與鼓風機連接的配管具有分支成多個的分支管。并且,在各分支管上連接有阻尼器。多個阻尼器將來自鼓風機的冷卻空氣供給至例如沿著容器的長度方向的多個部位。各阻尼器例如通過作業員的手動操作來調整開度。并且,冷卻空氣從鼓風機穿過對應的阻尼器后,與容器接觸,從而對容器進行冷卻。為了使容器的冷卻速度在該容器的各部盡可能地均等,作業員手動調節各阻尼器的開度。
另一方面,在容器內進行熱處理的被處理物的內容和數量不一定每次都相同。即,容器內的被處理物的合計的熱容量不一定每次都相同。另外,容器(被處理物)的目標冷卻溫度和冷卻區域也不一定每次都相同。另外,驅動鼓風機的鼓風機馬達的頻率(例如,鼓風機馬達的轉速)也存在根據電源的條件而不同的情況。這樣,在產生了冷卻條件的差異的情況下,如果不調整各阻尼器的開度,則容器的各部的冷卻速度會產生偏差。
另一方面,從進行均勻的熱處理的觀點出發,優選的是,與冷卻條件的差異無關地使容器和多個被處理物的整體盡可能均等地冷卻。因此,作業員對應于冷卻條件通過手動作業來調整各阻尼器的開度。由此,從各阻尼器與容器接觸的冷卻空氣的流量被調整,實現了容器和被處理物的更均等的冷卻。
這樣,對于通過手動作業來進行各阻尼器的開度調整作業的結構來說,優選實現自動的調整作業。
發明內容
本發明鑒于上述情況,目的在于提供如下的熱處理裝置:即使在溫度控制條件發生了變化的情況下,也能夠使被處理物更均等地進行溫度變化,并且,能夠自動地進行用于使被處理物更均等地進行溫度變化的調整作業。
(1)為了解決上述課題,本發明的一個方面的熱處理裝置具備:容器,其在被處理物的熱處理時收納所述被處理物;介質供給部,其包括用于將溫度調整用的介質供給至所述容器的基準閥和副閥;以及控制部,其以所述基準閥供給所述介質的供給形態為基準,控制所述副閥供給所述介質的供給形態。
根據該結構,利用控制部來控制副閥供給介質的供給形態。由此,能夠在被處理物的溫度控制條件發生了變化的情況下變更副閥供給介質的供給形態。其結果是,即使在被處理物的溫度控制條件發生了變化的情況下,也能夠使被處理物更均等地冷卻。另外,以基準閥供給冷卻空氣的供給形態為基準來控制副閥供給冷卻空氣的供給形態的結果是,能夠更加可靠地抑制副閥的控制運算發散。從而,實現了對被處理物的更正確的溫度控制。另外,由于副閥被控制部控制,因此不需要人力對副閥的調整作業。根據以上的情況,根據本發明,能夠實現如下的熱處理裝置:即使在溫度控制條件發生了變化的情況下,也能夠使被處理物更均等地進行溫度變化,并且能夠自動地進行用于使被處理物更均等地發生溫度變化的調整作業。
(2)存在這樣的情況:所述控制部以所述基準閥的開度固定的狀態為基準,來控制所述副閥的開度。
根據該結構,控制部在副閥的開度控制中無需變更基準閥的開度,結果是,能夠使副閥的控制所需要的運算更加簡化。另外,在副閥的開度控制中,能夠更加可靠地抑制產生振蕩。
(3)存在這樣的情況:所述控制部構成為:以所述容器中的被從所述基準閥供給所述介質的部位處的溫度為基準,控制從所述副閥向所述容器供給的所述介質的流量。
根據該結構,能夠使因從副閥供給至容器的介質而引起的容器的溫度變化程度與因從基準閥供給至容器的介質而引起的容器的溫度變化程度更加均等。
(4)存在這樣的情況:所述控制部控制所述副閥的開度,以使所述容器中的被從所述基準閥供給所述介質的部位處的溫度和所述容器中的被從所述副閥供給所述介質的部位處的溫度的偏差減小。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





