[發明專利]熱處理裝置在審
| 申請號: | 201710116541.4 | 申請日: | 2017-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN107342244A | 公開(公告)日: | 2017-11-10 |
| 發明(設計)人: | 和田賴彥 | 申請(專利權)人: | 光洋熱系統股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 李輝,黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 裝置 | ||
1.一種熱處理裝置,其特征在于,
所述熱處理裝置具備:
容器,其在被處理物的熱處理時收納所述被處理物;
介質供給部,其包括用于將溫度調整用的介質供給至所述容器的基準閥和副閥;以及
控制部,其以所述基準閥供給所述介質的供給形態為基準,控制所述副閥供給所述介質的供給形態。
2.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述控制部以所述基準閥的開度固定的狀態為基準,來控制所述副閥的開度。
3.根據權利要求1或2所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述控制部構成為:以所述容器中的被從所述基準閥供給所述介質的部位處的溫度為基準,控制從所述副閥向所述容器供給的所述介質的流量。
4.根據權利要求3所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述控制部控制所述副閥的開度,以使所述容器中的被從所述基準閥供給所述介質的部位處的溫度和所述容器中的被從所述副閥供給所述介質的部位處的溫度的偏差減小。
5.根據權利要求1或2所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述副閥設置有多個,
所述控制部控制各所述副閥,以使一個所述副閥和另一個所述副閥執行不同的動作。
6.根據權利要求5所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述控制部構成為采用比例控制來控制各所述副閥,所述控制部將一個所述副閥的控制增益和另一個所述副閥的控制增益設定為不同的值。
7.根據權利要求6所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述介質是用于冷卻所述容器的冷卻介質,
從一個所述副閥向所述容器供給所述冷卻介質的位置被設定得比從另一個所述副閥向所述容器供給所述冷卻介質的位置高,
所述控制部將針對一個所述副閥的所述控制增益設定得比針對另一個所述副閥的所述控制增益大。
8.根據權利要求6所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述容器包括:向所述容器的外部敞開的開口部;和相對于所述容器的外部被封閉的形狀的里部,
所述介質是用于冷卻所述容器的冷卻介質,
從一個所述副閥向所述容器供給所述冷卻介質的位置被設定為靠所述開口部和所述里部中的所述里部,從另一個所述副閥向所述容器供給所述冷卻介質的位置被設定為靠所述開口部和所述里部中的所述開口部,
所述控制部將針對一個所述副閥的所述控制增益設定得比針對另一個所述副閥的所述控制增益大。
9.根據權利要求1或2所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述副閥設置有多個,
來自所述基準閥的所述介質的出口位置被設定于來自各所述副閥的所述介質的出口位置之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





