[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝件及半導(dǎo)體封裝件的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710115495.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107170716B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鈴原將文 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 安靠科技日本公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/31 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京寰華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝件,其中,包括:
管芯焊盤(pán);
多個(gè)外部連接端子,配置于所述管芯焊盤(pán)的周邊;
半導(dǎo)體芯片,配置于所述管芯焊盤(pán)的上部面,并與所述多個(gè)外部連接端子電連接;
密封部件,用于掩埋所述管芯焊盤(pán)、所述多個(gè)外部連接端子及所述半導(dǎo)體芯片,并使所述多個(gè)外部連接端子的各個(gè)的外側(cè)端部露出;以及
槽部,所述槽部設(shè)置在所述密封部件的與所述多個(gè)外部連接端子的內(nèi)側(cè)端部相鄰的下部面中,
其中,
所述多個(gè)外部連接端子的各個(gè)的所述外側(cè)端部的側(cè)面包括第一區(qū)域;
所述第一區(qū)域中施有鍍層;并且
所述多個(gè)外部連接端子的每個(gè)所述內(nèi)側(cè)端部的部分在所述槽部中露出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件,其中:
所述管芯焊盤(pán)具有從所述密封部件露出的下部面;并且
所述管芯焊盤(pán)的所述下部面鍍有所述鍍層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件,其中,所述鍍層完全覆蓋所述多個(gè)外部連接端子的各個(gè)的所述外側(cè)端部的所述側(cè)面。
4.一種半導(dǎo)體封裝件,其中,
管芯焊盤(pán);
多個(gè)外部連接端子,配置于所述管芯焊盤(pán)的周邊;
半導(dǎo)體芯片,配置于所述管芯焊盤(pán)的上部面,并與所述多個(gè)外部連接端子電連接;
密封部件,用于掩埋所述管芯焊盤(pán)、所述多個(gè)外部連接端子及所述半導(dǎo)體芯片,并使所述多個(gè)外部連接端子的各個(gè)的外側(cè)端部露出,
所述外側(cè)端部具有相互對(duì)置上部面和下部面、以及除所述上部面和所述下部面之外的側(cè)面;以及
鍍層,所述鍍層在所述外側(cè)端部的所述上部面和所述下部面上且完全覆蓋所述外側(cè)端部的外側(cè)端面,其中所述外側(cè)端面與所述密封部件的邊緣共平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件,其中,
至少一個(gè)外側(cè)端部的所述上部面插置于所述密封部件的部分之間;并且
所述至少一個(gè)外側(cè)端部的所述上部面以及所述密封部件的部分共平面。
6.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法,包括如下步驟:
準(zhǔn)備引線框架,所述引線框架具有多個(gè)外部連接端子以及將多個(gè)外部連接端子的外部端子彼此耦合的第一耦合部分,以及將多個(gè)外部連接端子的內(nèi)部端子彼此耦合的第二耦合部分;
將半導(dǎo)體芯片與所述多個(gè)外部連接端子電連接;
形成密封部件,所述密封部件掩埋所述多個(gè)外部連接端子和所述半導(dǎo)體芯片,使得所述多個(gè)外部連接端子的各個(gè)的外側(cè)端部露出于所述密封部件;
將所述第一耦合部分的部分移除以提供第一開(kāi)口,所述第一開(kāi)口完全露出所述多個(gè)外部連接端子的每個(gè)所述外部端子的端面;
在完全露出的所述端面上形成導(dǎo)電材料的層;以及
將包含所述第二耦合部分的所述引線框架的下部面的部分移除以物理分離所述多個(gè)外部連接端子。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法,其中,
形成導(dǎo)電材料的層的步驟包括執(zhí)行向所述引線框架供給電流的電解鍍敷處理,以形成包括將每個(gè)完全露出的所述端面完全覆蓋的鍍層在內(nèi)的所述導(dǎo)電材料的層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法,其中:
前述移除所述引線框架的所述下部面的部分的步驟包括形成從所述引線框架的所述下部面向內(nèi)延伸的槽部,以將所述多個(gè)外部連接端子彼此物理分離;并且
所述內(nèi)部端子的部分在所述槽部中露出。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法,其中,
準(zhǔn)備引線框架的步驟包括:
準(zhǔn)備管芯焊盤(pán),使得所述多個(gè)外部連接端子配置于所述管芯焊盤(pán)的周邊;
形成密封部件的步驟包括:
形成掩埋所述管芯焊盤(pán)的至少一部分的所述密封部件;
所述管芯焊盤(pán)的下部面在所述密封部件中露出;并且
形成所述導(dǎo)電材料的層的步驟包括:
將所述導(dǎo)電材料形成在所述管芯焊盤(pán)的所述下部面上。
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