[發明專利]一種存儲器的控制方法及裝置

在審

• 申請號: 201710114798.6
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN108509359A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 王增強;楊誼峰
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 馮艷蓮

1.一種存儲器的控制方法，其特征在于，包括：

根據指令需求生成對兩個同步動態隨機存儲器SDRAM的訪問指令，所述兩個SDRAM被鏡像固定于單板的兩側；

根據所述訪問指令生成兩個片選信號，所述兩個片選信號中的第一片選信號用于使能所述兩個SDRAM中的第一SDRAM，所述兩個片選信號中的第二片選信號用于使能所述兩個SDRAM中的第二SDRAM；

根據模式參數使所述兩個片選信號中的至少一個片選信號有效，所述模式參數用于指示所述兩個片選信號中每個片選信號的有效性；

將所述訪問指令和所述第一片選信號輸出至所述第一SDRAM，將所述訪問指令和所述第二片選信號輸出至所述第二SDRAM。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述訪問指令為模式寄存器配置MRS指令，或者所述訪問指令為數據讀寫指令。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，根據模式參數使所述兩個片選信號中的至少一個片選信號有效，包括：

當所述模式參數為第一預設值時，使所述第一片選信號有效；

當所述模式參數為第二預設值時，使所述第二片選信號有效；

當所述模式參數為第三預設值或第四預設值時，使所述第一片選信號和所述第二片選信號有效。

4.一種存儲器的控制裝置，其特征在于，包括單板、片上系統SOC芯片、第一SDRAM和第二SDRAM，所述第一SDRAM和所述第二SDRAM被鏡像固定于所述單板的兩側，所述SOC芯片與所述第一SDRAM被固定于所述單板的第一側，所述第二SDRAM被固定于所述單板的第二側，所述單板的第一側上設有第一地址信號鏈路、第一片選信號鏈路和第二片選信號鏈路，所述第一地址信號鏈路用于連接所述第一SDRAM的地址信號管腳和所述SOC芯片的地址信號管腳，所述第一片選信號管腳用于連接所述第一SDRAM的片選信號管腳和所述SOC芯片的第一片選信號管腳，所述單板上還設有至少一個過孔，所述第一地址信號鏈路通過所述至少一個過孔與所述單板的第二側上的第二地址信號鏈路通信連接，所述第二片選信號鏈路通過所述至少一個過孔與所述單板的第二側上的第三片選信號鏈路通信連接，所述第一地址信號鏈路和第二地址信號鏈路一起將所述SOC芯片的地址信號管腳和所述第二SDRAM的地址信號管腳通信連接，所述第二片選信號鏈路和所述第三片選信號鏈路一起將所述SOC芯片的第二片選信號管腳和所述第二SDRAM的片選信號管腳通信連接；

所述SOC芯片包括：

處理器，用于根據指令需求生成對所述第一SDRAM和所述第二SDRAM的訪問指令；

動態存儲控制器，用于根據所述訪問指令生成兩個片選信號，根據模式參數使所述兩個片選信號中的至少一個片選信號有效；其中，所述兩個片選信號中的第一片選信號用于使能所述第一SDRAM，所述兩個片選信號中的第二片選信號用于使能所述第二SDRAM，所述模式參數用于指示所述兩個片選信號中每個片選信號的有效性；

驅動器，用于將所述訪問指令和所述第一片選信號輸出至所述第一SDRAM，將所述訪問指令和所述第二片選信號輸出至所述第二SDRAM。

5.如權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述訪問指令為MRS指令，或者所述訪問指令為數據讀寫指令。

6.如權利要求4或5所述的裝置，其特征在于，所述動態存儲控制器在根據模式參數使所述兩個片選信號中的至少一個片選信號有效時，包括：

當所述模式參數為第一預設值時，所述動態存儲控制器使所述第一片選信號有效；

當所述模式參數為第二預設值時，所述動態存儲控制器使所述第二片選信號有效；

當所述模式參數為第三預設值或第四預設值時，所述動態存儲控制器使所述第一片選信號和所述第二片選信號有效。