[發明專利]一種陰離子調控的8?羥基喹啉金屬配合物四聚晶體及其制備方法在審
| 申請號: | 201710113692.4 | 申請日: | 2017-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN106892934A | 公開(公告)日: | 2017-06-27 |
| 發明(設計)人: | 霍延平;田亞娟;楊百興;蔡寧;李宗植;李俊同 | 申請(專利權)人: | 廣東工業大學 |
| 主分類號: | C07F3/08 | 分類號: | C07F3/08;C07F3/06;C09K11/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 張春水,唐京橋 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陰離子 調控 羥基 喹啉 金屬 配合 物四聚 晶體 及其 制備 方法 | ||
本申請屬于金屬配合物領域,具體涉及一種陰離子調控的8?羥基喹啉金屬配合物四聚晶體及其制備方法。本發明所提供的陰離子調控的8?羥基喹啉金屬配合物四聚晶體,其化學結構如式(I)所示,具有較高的發光強度、良好的熱穩定性以及較長的熒光壽命,在有機發光材料的制備上存在很大的應用潛能,也可用于研究不同陰離子對其配位構型以及發光性能的影響。此外,本發明所提供的金屬配合物四聚晶體原料成本低廉,來源廣泛,設備簡單,工藝優化,可實現大規模的生產,具有廣闊的發展前景。
技術領域
本發明屬于金屬配合物領域,具體涉及一種陰離子調控的8-羥基喹啉金屬配合物四聚晶體及其制備方法。
背景技術
有機金屬配合物是化學領域的研究熱點之一,其在有機發光材料、催化、金屬熒光探針、氣體吸附等領域的應用研究也備受關注。自1987年美國柯達公司的C.W.Tang及其合作者以8-羥基喹啉鋁(Alq3)作為發光層制作有機電致發光器件(OLED)以來,人們就希望在Alq3結構的基礎上做進一步地修飾,以得到不亞于其性能的發光材料。經過20多年來學術界和產業界對OLED的的深入研究,人們已經獲得了許多的研究成果,而且小尺寸的OLED顯示屏不斷涌現,并開始廣泛應用于電視、MP3、車載顯示器等電子產品中。
然而,目前應用于制備OLED的發光材料仍存在許多問題:1)熒光效率低;2)制備成本高,目前的發光器件的制備主要采用真空蒸鍍或旋涂成膜的方法,對設備的要求較高,也要求發光材料具有很好的可溶性和成膜性;3)發光材料仍處于研究探索階段,理論指導性材料匱乏。因此,研發一種熒光效率高的發光材料是本領域技術人員亟待解決的技術問題。
目前報道的影響有機金屬化合物熒光性能的因素有配體、金屬離子、配位結構、pH值等,但在陰離子參與的配合物中,陰離子對其發光性能的有何影響的研究比較匱乏。
發明內容
有鑒于此,本發明提供了一種陰離子調控的8-羥基喹啉金屬配合物四聚晶體及其制備方法,本發明所提供的8-羥基喹啉金屬配合物四聚晶體具有較高的發光強度、良好的熱穩定性以及較長的熒光壽命等優點。
本發明的具體技術方案如下:
本發明提供了一種陰離子調控的8-羥基喹啉金屬配合物四聚晶體,其結構如通式Ⅰ所示:
其中,M選自Cd或Zn;
R選自AcO、I或NO3。
優選的,所述8-羥基喹啉金屬配合物四聚晶體為:
優選的,如式Ⅰa所示的8-羥基喹啉鎘配合物四聚晶體的結構參數為:空間群為P21/c,Z=2,α=90°,β=99.090(2)°,γ=90°;
如式Ⅰb所示的8-羥基喹啉鎘配合物四聚晶體的結構參數為:空間群為P-1,Z=2,α=89.802(2)°,β=82.238(2)°,γ=74.6920(10)°;
如式Ⅰc所示的8-羥基喹啉鋅配合物四聚晶體的結構參數為:空間群為C2/c,Z=4,α=90°,β=91.548(3)°,γ=90°。
本發明還提供了一種上述8-羥基喹啉金屬配合物四聚晶體的制備方法,包括:
a)將2-甲基-8-羥基喹啉和2,3-甲氧基苯甲醛在反應溶劑中進行反應,得到反應中間體;
b)將步驟a)得到的反應中間體依次與吡啶、水進行反應,得到配體;
c)將步驟b)得到的配體和金屬鹽在反應溶劑中進行反應,得到所述8-羥基喹啉金屬配合物四聚晶體。
優選的,步驟a)中所述反應溶劑為乙酸酐;
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