[發明專利]一種稀土Er摻雜Ge2Sb2Te5相變存儲薄膜材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201710112369.5 | 申請日： | 2017-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN106960907B | 公開（公告）日： | 2019-03-15 |
| 發明（設計）人： | 谷婷;王國祥;劉畫池;沈祥;呂業剛;李超;王慧 | 申請（專利權）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 稀土 er 摻雜 ge2sb2te5 相變 存儲 薄膜 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種稀土Er摻雜Ge2Sb2Te5相變存儲薄膜材料，其特征在于：其化學結構式為(Er)x(Ge2Sb2Te5)100-x，其中0.4<x≤1.4。
2.根據權利要求1所述的一種稀土Er摻雜Ge2Sb2Te5相變存儲薄膜材料，其特征在于：所述的相變存儲薄膜材料的化學結構式為(Er)1.4(Ge2Sb2Te5)98.6。
3.根據權利要求1所述的一種稀土Er摻雜Ge2Sb2Te5相變存儲薄膜材料，其特征在于：所述的(Er)x(Ge2Sb2Te5)100-x相變存儲薄膜材料由Ge2Sb2Te5合金靶和Er單質靶在磁控濺射鍍膜系統中通過雙靶共濺射獲得。
4.一種權利要求1所述的稀土Er摻雜Ge2Sb2Te5相變存儲薄膜材料的制備方法，其特征在于采用雙靶共濺射方法獲得，具體步驟如下：在磁控濺射鍍膜系統中，采用石英片或氧化硅片為襯底，將稀土Er靶材安裝在磁控直流濺射靶中，將Ge2Sb2Te5靶材安裝在磁控射頻濺射靶中，將磁控濺射鍍膜系統的濺射腔室進行抽真空直至室內真空度達到2.0×10-4Pa，然后向濺射腔室內通入體積流量為50ml/min的高純氬氣直至濺射腔室內氣壓達到濺射所需起輝氣壓0.2Pa，然后控制Er靶的濺射功率為4W，合金Ge2Sb2Te5靶的濺射功率為70-78W，于室溫下濺射鍍膜，濺射100nm，即得到沉積態的Er摻雜Ge2Sb2Te5相變存儲薄膜材料；隨后放入快速退火爐中，在高純氬氣氛圍保護下，迅速升溫至200-350℃下進行退火，即得到熱處理后的稀土Er摻雜Ge2Sb2Te5相變存儲薄膜材料，其化學結構式為(Er)x(Ge2Sb2Te5)100-x，其中0.4<x≤1.4。
5.根據權利要求4所述的一種稀土Er摻雜Ge2Sb2Te5相變存儲薄膜材料制備方法，其特征在于：所述的相變存儲薄膜材料的化學結構式為(Er)1.4(Ge2Sb2Te5)98.6。
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