[發(fā)明專利]用于吹掃半導(dǎo)體處理室狹縫閥開(kāi)口的裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710112144.X | 申請(qǐng)日： | 2017-02-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107146766B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-09-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 班亞·翁森納庫(kù)姆;彼得·科洛托夫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人： | 樊英如;張華 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 半導(dǎo)體 處理 狹縫 開(kāi)口 裝置 | ||
本發(fā)明涉及用于吹掃半導(dǎo)體處理室狹縫閥開(kāi)口的裝置。提供了一種半導(dǎo)體處理室，其可以包括：延伸穿過(guò)室壁并具有限定開(kāi)口的內(nèi)通道表面的晶片傳送通道，包括限定插入件開(kāi)口的插入件內(nèi)表面的插入件，以及氣體入口。所述晶片傳送通道的至少部分地圍繞所述內(nèi)通道表面延伸并從所述內(nèi)通道表面向外偏移的第一凹陷表面、至少部分地圍繞所述插入件內(nèi)表面延伸并從所述插入件內(nèi)表面向外偏移的第一插入件外表面、以及在所述內(nèi)通道表面和所述第一凹陷表面之間延伸的第一壁表面至少部分地限定流體連接到氣體入口的氣體分配通道，所述第一凹陷表面與所述第一插入件外表面分開(kāi)第一距離，并且插入件前表面面向所述第一壁表面并與所述第一壁表面分開(kāi)第一間隙距離。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理領(lǐng)域，更具體地涉及用于吹掃半導(dǎo)體處理室狹縫閥開(kāi)口的裝置。
背景技術(shù)
一些半導(dǎo)體處理工具經(jīng)由通道將晶片移入和移出處理室，該通道從處理室外部區(qū)域延伸穿過(guò)處理室壁到達(dá)處理室內(nèi)部。這樣的通道可以在通道的端部上具有閘閥(即狹縫閥)，該閘閥可以打開(kāi)以允許晶片穿過(guò)通道，并且可以封閉和/或密封(例如，壓力或流體密封)通道使得處理室的內(nèi)部與處理室外部的區(qū)域隔離。
發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施方式中，可以提供半導(dǎo)體處理室。所述半導(dǎo)體處理室可以包括：用于半導(dǎo)體處理的內(nèi)部體積，至少部分地界定所述半導(dǎo)體處理室的外側(cè)和所述內(nèi)部體積的室壁，以及氣體入口。所述半導(dǎo)體處理室還可以包括晶片傳送通道，所述晶片傳送通道沿著第一軸線從所述半導(dǎo)體處理室的所述外側(cè)延伸穿過(guò)所述室壁到達(dá)所述內(nèi)部體積并且具有：內(nèi)通道表面，其限定具有垂直于所述第一軸線的第一基本矩形橫截面的開(kāi)口；第一凹陷表面，當(dāng)沿著所述第一軸線觀察時(shí)其至少部分地圍繞所述內(nèi)通道表面延伸并且從所述內(nèi)通道表面向外偏移；以及第一壁表面，其在所述內(nèi)通道表面和所述第一凹陷表面之間延伸。所述半導(dǎo)體處理室還可以包括插入件，所述插入件包括：插入件內(nèi)表面，其限定具有垂直于所述第一軸線的第二基本矩形橫截面區(qū)域的插入件開(kāi)口；第一插入件外表面，當(dāng)沿著所述第一軸線觀察時(shí)其至少部分地圍繞所述插入件內(nèi)表面并從所述插入件內(nèi)表面向外偏移；以及插入件前表面，其面向所述第一壁表面。所述第一凹陷表面、所述第一插入件外表面和所述第一壁表面可以至少部分地限定氣體分配通道，所述氣體分配通道可以流體連接到所述氣體入口，所述第一凹陷表面可以與所述第一插入件外表面分開(kāi)第一距離，并且所述插入件前表面可以與所述第一壁表面分開(kāi)第一間隙距離。
在一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，所述插入件還可以包括第二插入件外表面，當(dāng)沿著所述第一軸線觀察時(shí)，所述第二插入件外表面至少部分地圍繞所述第一插入件外表面延伸并且從所述第一插入件外表面向外偏移。
在另外的這樣的實(shí)施方式中，所述第二插入件外表面可以靠近所述第一凹陷表面。
在另一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，所述插入件還可以包括在所述第二插入件外表面和所述第一插入件外表面之間延伸的第二壁表面，并且所述氣體分配通道可以至少部分地由所述第二壁表面限定。
在一些另外的這樣的實(shí)施方式中，所述晶片傳送通道還可以包括第二凹陷表面，當(dāng)沿著第一軸線觀察時(shí)，所述第二凹陷表面圍繞所述內(nèi)通道表面延伸并且從所述第一凹陷表面向內(nèi)偏移，所述晶片傳送通道還可以包括在所述第二凹陷表面和所述第一凹陷表面之間延伸的第三壁表面，并且所述氣體分配通道可以至少部分地由所述第三壁表面限定。
在一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，所述晶片傳送通道還可以包括第二凹陷表面，當(dāng)沿著第一軸線觀察時(shí)，所述第二凹陷表面圍繞所述內(nèi)通道表面延伸并且從所述第一凹陷表面向內(nèi)偏移。
在另外的這樣的實(shí)施方式中，所述第一插入件外表面可以靠近所述第二凹陷表面。
在另外的這樣的實(shí)施方式中，所述晶片傳送通道還可以包括在所述第二凹陷表面和所述第一凹陷表面之間延伸的第三壁表面，并且所述氣體分配通道可以至少部分地由所述第三壁表面限定。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于朗姆研究公司，未經(jīng)朗姆研究公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710112144.X/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
