[發(fā)明專利]用于吹掃半導體處理室狹縫閥開口的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710112144.X
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN107146766B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設計）人: 班亞·翁森納庫姆;彼得·科洛托夫
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張華

1.一種半導體處理室，其包括：

用于半導體處理的內(nèi)部體積；

室壁，其至少部分地界定所述半導體處理室的外側(cè)和所述內(nèi)部體積；

晶片傳送通道，其沿著第一軸線從所述半導體處理室的所述外側(cè)延伸穿過所述室壁到達所述內(nèi)部體積，并且具有：

內(nèi)通道表面，其限定具有垂直于所述第一軸線的第一基本矩形橫截面區(qū)域的開口，

第一凹陷表面，當沿著所述第一軸線觀察時，所述第一凹陷表面至少部分地圍繞所述內(nèi)通道表面延伸并且從所述內(nèi)通道表面向外偏移，以及

在所述內(nèi)通道表面和所述第一凹陷表面之間延伸的第一壁表面；

插入件，其包括：

插入件內(nèi)表面，其限定具有垂直于所述第一軸線的第二基本矩形橫截面區(qū)域的插入件開口，所述第二基本矩形橫截面區(qū)域在尺寸和形狀上基本上等于所述第一基本矩形橫截面區(qū)域，

第一插入件外表面，當沿著所述第一軸線觀察時，所述第一插入件外表面至少部分地圍繞所述插入件內(nèi)表面延伸并且從所述插入件內(nèi)表面向外偏移，

插入件前表面，其面向所述第一壁表面；以及

氣體入口，

其中：

所述插入件的至少部分被配置成插入到所述晶片傳送通道中,

所述第一凹陷表面、所述第一插入件外表面和所述第一壁表面至少部分地限定氣體分配通道，

所述氣體分配通道流體連接到所述氣體入口，

所述第一凹陷表面與所述第一插入件外表面分開第一距離，

所述插入件前表面與所述第一壁表面分開第一間隙距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體處理室，其中所述插入件還包括第二插入件外表面，當沿著所述第一軸線觀察時，所述第二插入件外表面至少部分地圍繞所述第一插入件外表面延伸并且從所述第一插入件外表面向外偏移。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體處理室，其中所述第二插入件外表面靠近所述第一凹陷表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體處理室，其中：

所述插入件還包括在所述第二插入件外表面和所述第一插入件外表面之間延伸的第二壁表面，并且

所述氣體分配通道至少部分地由所述第二壁表面進一步限定。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體處理室，其中：

所述晶片傳送通道還包括第二凹陷表面，當沿著所述第一軸線觀察時，所述第二凹陷表面圍繞所述內(nèi)通道表面延伸并且從所述第一凹陷表面向內(nèi)偏移，

所述晶片傳送通道還包括在所述第二凹陷表面和所述第一凹陷表面之間延伸的第三壁表面，并且

所述氣體分配通道至少部分地由所述第三壁表面進一步限定。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體處理室，其中所述晶片傳送通道還包括第二凹陷表面，當沿著所述第一軸線觀察時，所述第二凹陷表面圍繞所述內(nèi)通道表面延伸，并且從所述第一凹陷表面向內(nèi)偏移。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體處理室，其中所述第一插入件外表面靠近所述第二凹陷表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體處理室，其中：

所述晶片傳送通道還包括在所述第二凹陷表面和所述第一凹陷表面之間延伸的第三壁表面，并且

所述氣體分配通道至少部分地由所述第三壁表面進一步限定。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的半導體處理室，其中所述氣體分配通道遵循至少部分地圍繞所述插入件內(nèi)表面延伸的第一路徑，并且具有垂直于所述第一路徑的第三橫截面區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體處理室，其中所述第一路徑完全圍繞所述插入件內(nèi)表面延伸。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體處理室，其中所述第三橫截面區(qū)域沿著所述第一路徑保持基本上恒定或沿著所述第一路徑變化。