[發(fā)明專利]包括堆疊電極的半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710110205.9
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN107134458B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李鉉民;梁宇成;金寬容
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10B41/20
• 分類號: H10B41/20;H10B43/20;H10B53/20
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

本專利申請要求于2016年2月26日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0023243號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，所述韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置的更高集成度可用于滿足消費者對于優(yōu)越性能和便宜價格的需求。在半導(dǎo)體存儲裝置的情況下，因為它們的集成度在確定產(chǎn)品價格方面會是重要的因素，所以提高的集成度會是特別有益的。在典型的二維或平面半導(dǎo)體存儲裝置的情況下，因為它們的集成度主要由單位存儲單元所占據(jù)的面積來確定，所以集成度會大大地受精細圖案形成技術(shù)的水平影響。然而，用于增大圖案精細度的極其昂貴的工藝設(shè)備會對提高二維或平面半導(dǎo)體存儲裝置的集成度設(shè)置實際的限制。

為了克服這樣的限制，已經(jīng)提出了三維存儲裝置(即，包括三維布置的存儲單元)。在三維存儲裝置的情況下，不僅對于三維地布置存儲單元而且對于三維地布置向存儲單元提供存取的信號線或互連線(例如，字線或位線)會是有益的。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體裝置可包括具有單元陣列區(qū)和連接區(qū)的基底。半導(dǎo)體裝置還可包括在基底上沿第一方向延伸并且在與第一方向相交的第二方向上彼此分隔開的第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)。第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)中的每個可包括豎直地且交替地堆疊在基底上并且包括在連接區(qū)上的階梯臺階結(jié)構(gòu)的第一電極和第二電極。半導(dǎo)體裝置還可包括在第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)上的多個串選擇電極。串選擇電極中的每個可包括通過絕緣分離層在第二方向上彼此分隔開的第一串選擇電極和第二串選擇電極。半導(dǎo)體裝置還可包括連接第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)的第一電極中的共面的第一電極的第一連接線。半導(dǎo)體裝置還可包括連接第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)的第二電極中的共面的第二電極的第二連接線。第一連接線中的每條可包括在第二方向上延伸的線形結(jié)構(gòu)。此外，當在平面圖中觀察時，第二連接線中的每條可包括與線形結(jié)構(gòu)不同的形狀。

根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置可包括具有單元陣列區(qū)和連接區(qū)的基底。半導(dǎo)體裝置還可包括在基底上沿第一方向延伸并且在與第一方向相交的第二方向上彼此分隔開的第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)。第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)中的每個可包括豎直地且交替地堆疊在基底上并且包括在連接區(qū)上的階梯臺階結(jié)構(gòu)的第一電極和第二電極。第一電極中的每個可包括在其端部處的第一焊盤區(qū)，第二電極中的每個可包括在其端部處的第二焊盤區(qū)。此外，當在平面圖中觀察時，第一焊盤區(qū)可布置在第一方向上并且第二焊盤區(qū)中的每個可在第二方向上與第一焊盤區(qū)中的相應(yīng)的一個相鄰。半導(dǎo)體裝置還可包括分別結(jié)合到第一焊盤區(qū)的第一接觸件。半導(dǎo)體裝置還可包括分別結(jié)合到第二焊盤區(qū)的第二接觸件。半導(dǎo)體裝置還可包括各自連接第一接觸件中的在第二方向上彼此相鄰的第一接觸件的第一連接線。半導(dǎo)體裝置還可包括各自連接第二接觸件中的在第二方向上彼此相鄰的第二接觸件的第二連接線。半導(dǎo)體裝置還可包括各自連接到第一連接線的在第一組中的第一連接線和第二連接線的在第一組中的第二連接線的第一金屬線。半導(dǎo)體裝置還可包括在比第一金屬線高的水平面處的第二金屬線。第二金屬線中的每條可連接到第一連接線中的在第二組中的第一連接線和第二連接線中的在第二組中的第二連接線。

根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體裝置可包括電極的第一堆疊件和第二堆疊件。半導(dǎo)體裝置還可包括使電極的第一堆疊件的內(nèi)部部分連接到電極的第二堆疊件的內(nèi)部部分的多條第一連接線。所述多條第一連接線可具有第一長度。此外，半導(dǎo)體裝置還可包括具有比第一長度長的第二長度的多條第二連接線。所述多條第二連接線使電極的第一堆疊件的外部部分連接到電極的第二堆疊件的外部部分。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖進行的簡要描述，將更加清楚地理解示例實施例。附圖代表如在這里描述的非限制性的示例實施例。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體裝置的芯片布局的示意圖。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體裝置的單元陣列的示意框圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體裝置的示意電路圖。

圖4和圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖6是示出在圖5中示出的堆疊件的階梯臺階(stair-step)結(jié)構(gòu)的平面圖。

圖7是示出在圖5中示出的堆疊件的階梯臺階結(jié)構(gòu)的透視圖。

圖8和圖9是分別沿圖4的線I-I'和線II-II'截取以示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。