[發明專利]包括堆疊電極的半導體裝置

有效

• 申請號: 201710110205.9
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN107134458B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 李鉉民;梁宇成;金寬容
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10B41/20
• 分類號: H10B41/20;H10B43/20;H10B53/20
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，包括單元陣列區和連接區；

第一電極結構和第二電極結構，在基底上沿第一方向延伸并且在與第一方向相交的第二方向上彼此分隔開，第一電極結構和第二電極結構中的每個包括豎直地且交替地堆疊在基底上并且包括在連接區上的階梯臺階結構的第一電極和第二電極；

多個串選擇電極，位于第一電極結構和第二電極結構上，每個串選擇電極包括通過絕緣分離層在第二方向上彼此分隔開的第一串選擇電極和第二串選擇電極；

第一連接線，連接第一電極結構和第二電極結構的第一電極中的共面的第一電極；以及

第二連接線，連接第一電極結構和第二電極結構的第二電極中的共面的第二電極，

其中，每條第一連接線包括在第二方向上延伸的線形結構，

其中，當在平面圖中觀察時，每條第二連接線包括與線形結構不同的形狀。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，第一連接線和第二連接線共面并且交替且重復地設置在第一方向上。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中：

每個第一電極包括被位于其上的第二電極暴露的第一焊盤區；

每個第二電極包括被位于其上的第一電極或串選擇電極暴露的第二焊盤區；

當在平面圖中觀察時，第一焊盤區布置在第一方向上；

當在平面圖中觀察時，第二焊盤區布置在第一方向上并且在第二方向上與第一焊盤區相鄰。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其中：

每個第二電極包括具有第一寬度的電極部以及在第一方向上從電極部突出并且具有比第一寬度窄的第二寬度的突出部；

在連接區上，每個第一電極包括被位于其上的第二電極的突出部暴露的端部；

第一焊盤區處于第一電極的被第二電極的突出部暴露的端部處；

第二焊盤區處于第二電極的突出部處。

5.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，第一電極結構的第一焊盤區與第二電極結構的第一焊盤區相鄰。

6.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，第一電極結構的第二焊盤區與第二電極結構的第二焊盤區相鄰。

7.如權利要求5所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

第一接觸件，分別結合到第一焊盤區；以及

第二接觸件，分別結合到第二焊盤區，

其中，每條第一連接線連接在第二方向上彼此相鄰的一些第一接觸件，

其中，每條第二連接線連接在第二方向上彼此相鄰的一些第二接觸件。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，

其中，每條第二連接線包括：

第一連接部，在第二方向上延伸；以及

第二連接部，在遠離單元陣列區的第一方向上從第一連接部的相對的端部突出，

其中，第二接觸件結合到第二連接部。

9.如權利要求7所述的半導體裝置，

其中，每條第二連接線包括：

第一連接部，在第二方向上延伸；以及

第二連接部，從第一連接部的相對的端部朝著單元陣列區突出，

其中，第二接觸件結合到第二連接部。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

第一金屬線，分別電連接到一些第一連接線和一些第二連接線；以及

第二金屬線，分別電連接到其他的第一連接線和其他的第二連接線，

其中，第一金屬線處于比第一連接線和第二連接線高的水平面處，

其中，第二金屬線處于比第一金屬線高的水平面處。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，其中，第一金屬線和第二金屬線包括不同的金屬材料。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其中，第一金屬線和第二金屬線分別包括鎢和銅。

13.如權利要求10所述的半導體裝置，其中，第一金屬線和第二金屬線中的每條包括L形結構。

14.如權利要求13所述的半導體裝置，

其中，電連接到第一連接線的第一金屬線與第一電極結構和第二電極結構中的一個電極結構疊置，

其中，電連接到第二連接線的第一金屬線與第一電極結構和第二電極結構中的另一個電極結構疊置。