[發明專利]薄膜晶體管的制作方法、薄膜晶體管及顯示器

有效

• 申請號: 201710109609.6
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN106783628B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 王威
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 44202 廣州三環專利商標代理有限公司
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強<國際申請>=<國際公布>

本發明公布了一種薄膜晶體管的制作方法，包括：在基板上依次形成主動層、柵極絕緣層、柵極及電容絕緣層，所述柵極絕緣層隔絕所述主動層與所述柵極；在所述電容絕緣層之背離所述基板一側形成阻氫層，所述阻氫層覆蓋所述電容絕緣層；氫化處理所述柵極絕緣層及所述主動層。本發明還公布了一種薄膜晶體管及一種顯示器。在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證多晶硅薄膜晶體管的氫化處理效果，生產的薄膜晶體管的電子遷移率高，顯示設備顯示效果良好。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其是涉及一種薄膜晶體管的制作方法、薄膜晶體管及顯示器。

背景技術

隨著顯示技術的發展和用戶對顯示設備的外觀、性能等各方面的要求越來越高，有源矩陣有機發光二極體(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)柔性顯示器應運而生。薄膜晶體管在生產中需要經過氫化處理，以采用低溫多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶體管的陣列結構顯示面板為例，多晶硅薄膜晶體管在生產中經過氫化處理，提高了多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率，修補了缺陷，使多晶硅薄膜晶體管具有較高的載流子遷移率，從而成為了制作小尺寸高解析度面板的首選。具體的，一般采用多晶硅薄膜晶體管的電容絕緣層和層間絕緣層作補氫層，并采用590℃，10min的高溫退火工藝實現陣列基板的氫化處理。在液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)和剛性AMOLED領域中，采用LTPS的陣列結構顯示面板及其制造工藝已日趨成熟，但多晶硅薄膜晶體管在柔性AMOLED顯示器的制造和應用中仍不成熟。

現有技術中，為了提高柔性效果，一般將電容絕緣層和層間絕緣層設計為厚度較小的無機層，氫化處理需要依靠無機層提供氫原子，較薄的無機層本身可以提供的氫原子量相對較少，高溫氫化過程中部分氫原子向外擴散而未起到氫化的作用，參加氫化過程的氫原子量不足導致氫化效果不佳，即無法在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證多晶硅薄膜晶體管的氫化處理效果，生產的多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率低，顯示設備顯示效果不佳。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種多晶硅薄膜晶體管的制作方法、多晶硅薄膜晶體管及顯示器，用以解決現有技術中無法在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證多晶硅薄膜晶體管的氫化處理效果，生產的多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率低，顯示設備顯示效果不佳的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種薄膜晶體管，包括：

在基板上依次形成主動層、柵極絕緣層、柵極及電容絕緣層，所述柵極絕緣層隔絕所述主動層與所述柵極；

在所述電容絕緣層之背離所述基板一側形成阻氫層，所述阻氫層覆蓋所述電容絕緣層；

氫化處理所述柵極絕緣層及所述主動層。

進一步，所述氫化處理的溫度不大于500℃，所述氫化處理的時長不超過60分鐘。

進一步，所述阻氫層為導電材料，并且在所述“氫化處理所述柵極絕緣層及所述主動層”之后，所述方法還包括：圖形化所述阻氫層形成電容上電極。

進一步，所述“氫化處理所述柵極絕緣層及所述主動層”之后，所述方法還包括：沉積導電材料于所述阻氫層之背離所述基板一側，并圖形化所述導電材料形成電容上電極。

進一步，形成所述電容上電極后，在所述電容上電極之背離所述基板一側表面形成層間絕緣層，并在所述層間絕緣層表面形成源極和漏極。

本發明還提供一種薄膜晶體管，包括基板及依次層疊設置于所述基板一側的主動層、柵極絕緣層、柵極及電容絕緣層，所述薄膜晶體管還包括阻氫層，所述阻氫層位于所述電容絕緣層之背離所述基板一側，并覆蓋所述電容絕緣層，所述阻氫層用于阻擋氫化處理時所述電容絕緣層提供的氫離子向外擴散。