[發明專利]薄膜晶體管的制作方法、薄膜晶體管及顯示器

有效

• 申請號: 201710109609.6
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN106783628B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 王威
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 44202 廣州三環專利商標代理有限公司
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強<國際申請>=<國際公布>

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成主動層、柵極絕緣層、柵極及電容絕緣層，所述柵極絕緣層隔絕所述主動層與所述柵極；

在所述電容絕緣層之背離所述基板一側形成阻氫層，所述阻氫層覆蓋所述電容絕緣層；

氫化處理所述柵極絕緣層及所述主動層；

所述阻氫層為導電材料，并且在所述“氫化處理所述柵極絕緣層及所述主動層”之后，所述方法還包括：圖形化所述阻氫層形成電容上電極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述氫化處理的溫度不大于500℃，所述氫化處理的時長不超過60分鐘。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，形成所述電容上電極后，在所述電容上電極之背離所述基板一側表面形成層間絕緣層，并在所述層間絕緣層表面形成源極和漏極。

4.一種薄膜晶體管，包括基板及依次層疊設置于所述基板一側的主動層、柵極絕緣層、柵極及電容絕緣層，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括電容上電極，所述電容上電極為阻氫層圖案化得到；所述阻氫層位于所述電容絕緣層之背離所述基板一側，并覆蓋所述電容絕緣層，所述阻氫層用于阻擋氫化處理時所述電容絕緣層提供的氫離子向外擴散。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括層疊設置于所述電容上電極之背離所述基板一側的層間絕緣層、源極及漏極，所述層間絕緣層隔離所述電容上電極與所述源極及所述漏極于所述層間絕緣層的兩側。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述層間絕緣層為有機材料膜層。

7.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述阻氫層為無機材料膜層或金屬材料膜層。

8.一種顯示器，其特征在于，包括權利要求4至7任意一項所述的薄膜晶體管。