[發明專利]晶體管結構有效
| 申請號： | 201710109572.7 | 申請日： | 2017-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN107579117B | 公開（公告）日： | 2021-03-12 |
| 發明（設計）人： | S·阿薩納西烏;P·加利 | 申請（專利權）人： | 意法半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體管 結構 | ||
1.一種晶體管，包括：
覆蓋有絕緣柵的第一導電類型的準本征區域；
與所述準本征區域接觸的兩個第二導電類型的第一摻雜區域，其中，所述準本征區域在所述兩個第一摻雜區域之間延伸；
安排在所述兩個第一摻雜區域中的每一者上的主電極；
所述第二導電類型的第二摻雜區域，所述第二摻雜區域與所述準本征區域接觸但是與所述兩個第一摻雜區域中的每一者電分離且物理分離，以及
安排在所述第二摻雜區域上的控制電極。
2.如權利要求1所述的晶體管，所述晶體管安排在絕緣體上半導體(SOI)結構的絕緣體層上。
3.如權利要求1所述的晶體管，其中，所述準本征區域是條形的，包括一對長邊，所述長邊各自與所述兩個第一摻雜區域之一接觸，并且其中，所述第二摻雜區域包括與所述準本征區域的所述長邊接觸的兩個電連接部分。
4.如權利要求1所述的晶體管，其中，所述準本征區域是條形的，包括一對長邊，所述長邊各自與所述兩個第一摻雜區域之一接觸，并且其中，所述第二摻雜區域與所述準本征區域的短邊接觸。
5.如權利要求1所述的晶體管，其中，所述準本征區域具有叉形，包括：
柄；
兩個分支；以及
在所述柄與所述兩個分支之間的連接部分；
其中，所述柄的一部分在所述兩個第一摻雜區域之間延伸；并且
其中，所述第二摻雜區域在所述兩個分支之間延伸，其中，所述第二區域與所述兩個分支中的每一者接觸并且與所述連接部分接觸。
6.如權利要求2所述的晶體管，其中，所述絕緣體層安排在設有偏置觸點的所述第二導電類型的半導體襯底上。
7.如權利要求6所述的晶體管，其中，所述絕緣體層具有小于30nm的厚度。
8.如權利要求1所述的晶體管，其中，所述第二摻雜區域與所述兩個第一摻雜區域在物理分離小于500nm的距離。
9.如權利要求1所述的晶體管，其中，所述準本征區域的厚度小于20nm。
10.一種電子電路，包括：
晶體管，所述晶體管包括：
覆蓋有絕緣柵的第一導電類型的準本征區域；
與所述準本征區域接觸的兩個第二導電類型的第一摻雜區域，其中，所述準本征區域在所述兩個第一摻雜區域之間延伸；
安排在所述兩個第一摻雜區域中的每一者上的主電極；
所述第二導電類型的第二摻雜區域，所述第二摻雜區域與所述準本征區域接觸但是與所述兩個第一摻雜區域中的每一者電分離且物理分離，以及
安排在所述第二摻雜區域上的控制電極；
其中，所述第一導電類型是N型；以及
用于控制所述晶體管的電路，所述電路被配置成用于在每個所述主電極與所述絕緣柵之間施加大于0.5V的電壓并且在所述控制電極與所述絕緣柵之間施加大于1V的電壓。
11.一種電子電路，包括：
晶體管，所述晶體管包括：
覆蓋有絕緣柵的第一導電類型的準本征區域；
與所述準本征區域接觸的兩個第二導電類型的第一摻雜區域，其中，所述準本征區域在所述兩個第一摻雜區域之間延伸；
安排在所述兩個第一摻雜區域中的每一者上的主電極；
所述第二導電類型的第二摻雜區域，所述第二摻雜區域與所述準本征區域接觸但是與所述兩個第一摻雜區域中的每一者電分離且物理分離，以及
安排在所述第二摻雜區域上的控制電極；
其中，所述第一導電類型是P型；以及
用于控制所述晶體管的電路，所述電路被配置成用于在所述絕緣柵與每個所述主電極之間施加大于0.5V的電壓并且在所述絕緣柵與所述控制電極之間施加大于1V的電壓。
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