[發明專利]一種濕法刻蝕排氣系統及濕法刻蝕裝置有效
| 申請號: | 201710104091.7 | 申請日: | 2017-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN106876304B | 公開(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發明(設計)人: | 李明暉;楊曉峰;呂耀軍;張超;王彬;李桂 | 申請(專利權)人: | 成都京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濕法 刻蝕 排氣 系統 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及濕法刻蝕技術領域,尤其涉及一種濕法刻蝕排氣系統及濕法刻蝕裝置。
背景技術
目前,在薄膜晶體管液晶顯示器的生產過程中,常采用濕法刻蝕工藝在基板上形成特定圖案,具體地,將光刻膠覆蓋在基板上的部分金屬膜層上,然后使未被光刻膠覆蓋部分的金屬膜層與酸性溶液進行反應,以去除多余的金屬膜層。通常上述濕法刻蝕反應是在濕法刻蝕設備的腔體內進行的。
如圖1所示,現有的濕法刻蝕設備包括腔體1,以及在腔體1的外側設置的抽氣裝置2,以利用抽氣裝置2將濕法刻蝕反應產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體抽離腔體1,以保證腔體1內的氣壓穩定。
然而,發明人發現,在使用濕法刻蝕工藝刻蝕基板的過程中,局部過刻現象的嚴重程度和影響范圍均與濕法刻蝕設備的腔體1的抽換氣大小成正相關關系,而將抽氣裝置2的抽換氣閥門21完全關閉,可以有效改善局部過刻現象,但若將抽換氣閥門21完全關閉,則會使腔體1內的氣壓持續增大,導致揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體在氣壓作用下泄漏到腔體1外部,從而對技術人員造成傷害,對環境造成污染。
發明內容
本發明的目的在于提供一種濕法刻蝕排氣系統及濕法刻蝕裝置,用于在保證濕法刻蝕工藝需求的情況下,保證濕法刻蝕設備的腔體內壓力平衡,避免濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體泄漏到腔體外部。
為達到上述目的,本發明提供一種濕法刻蝕排氣系統,采用如下技術方案:
該濕法刻蝕排氣系統包括:抽換氣管道和罩在濕法刻蝕設備的腔體的腔門上的真空罩體;其中,所述抽換氣管道與所述腔體相連,所述真空罩體與所述抽換氣管道相連;
所述抽換氣管道通過第一閥控單元與所述腔體連通,所述抽換氣管道通過第二閥控單元與所述真空罩體連通。
與現有技術相比,本發明提供的濕法刻蝕排氣系統具有以下有益效果:
在本發明提供的濕法刻蝕排氣系統中,不僅包括與濕法刻蝕設備的腔體相連的抽換氣管道,還包括罩在腔體的腔門上的真空罩體,該真空罩體與抽換氣管道相連,并且抽換氣管道不僅通過第一閥控單元與腔體連通、還通過第二閥控單元與真空罩體連通,從而使得在濕法刻蝕過程中,可完全關閉第一閥控單元,以改善濕法刻蝕過程中的局部過刻現象,同時可打開第二閥控單元,通過真空罩體收集從腔體的腔門泄漏出的濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體,并通過抽換氣管道及時將揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體排出,從而在保證濕法刻蝕設備的腔體內壓力平衡的情況下,避免了濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體泄漏到腔體外部,避免了對技術人員造成傷害,保護了環境。
本發明還提供一種濕法刻蝕裝置包括上述濕法刻蝕排氣系統。
與現有技術相比,本發明提供的濕法刻蝕裝置的有益效果與上述濕法刻蝕排氣系統的有益相同,故此處不再進行贅述。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現有技術中的濕法刻蝕設備的結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的濕法刻蝕設備的結構示意圖。
附圖標記說明:
1—腔體, 11—腔門, 2—抽氣裝置,
21—抽換氣閥門,3—抽換氣管道,4—真空罩體,
5—第一閥控單元, 51—第一過濾冷卻裝置, 52—第一控制閥門,
6—第二閥控單元, 61—第二過濾冷卻裝置, 62—第二控制閥門,
7—可伸縮軟管, 8—大氣壓鼓風裝置,9—升降架。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
本發明實施例提供一種濕法刻蝕排氣系統,具體地,如圖2所示,該法刻蝕排氣系統包括:抽換氣管道3和罩在濕法刻蝕設備的腔體1的腔門11上的真空罩體4;其中,抽換氣管道3與腔體1相連,真空罩體4與抽換氣管道3相連;抽換氣管道3通過第一閥控單元5與腔體1連通,抽換氣管道3通過第二閥控單元6與真空罩體4連通。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





