[發明專利]一種濕法刻蝕排氣系統及濕法刻蝕裝置有效
| 申請號： | 201710104091.7 | 申請日： | 2017-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN106876304B | 公開（公告）日： | 2019-09-10 |
| 發明（設計）人： | 李明暉;楊曉峰;呂耀軍;張超;王彬;李桂 | 申請（專利權）人： | 成都京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 濕法 刻蝕 排氣 系統 裝置 | ||
1.一種濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，包括：抽換氣管道和罩在濕法刻蝕設備的腔體的腔門上的真空罩體；其中，所述抽換氣管道與所述腔體相連，所述真空罩體與所述抽換氣管道相連；
所述抽換氣管道通過第一閥控單元與所述腔體連通，所述抽換氣管道通過第二閥控單元與所述真空罩體連通。
2.根據權利要求1所述的濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述濕法刻蝕排氣系統還包括設置在所述真空罩體外，且與所述真空罩體相連的大氣壓鼓風裝置。
3.根據權利要求1所述濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述真空罩體與所述腔體的接觸位置還設置有密封圈。
4.根據權利要求1所述的濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述濕法刻蝕排氣系統還包括用于控制所述真空罩體升降的升降架，所述升降架與所述真空罩體相連。
5.根據權利要求1所述的濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述真空罩體的材質為耐酸性材質。
6.根據權利要求1所述的濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述第一閥控單元和所述第二閥控單元沿氣體排出方向依次安裝在所述抽換氣管道上。
7.根據權利要求6所述的濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述第一閥控單元包括沿氣體排出方向依次安裝在所述抽換氣管道上的第一過濾冷卻裝置和第一控制閥門。
8.根據權利要求6所述的濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述第二閥控單元包括沿氣體排出方向依次安裝在所述抽換氣管道上的第二過濾冷卻裝置和第二控制閥門。
9.根據權利要求1所述的濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述真空罩體通過可伸縮軟管與所述抽換氣管道相連。
10.一種濕法刻蝕裝置，其特征在于，包括如權利要求1～9任一項所述的濕法刻蝕排氣系統。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
