[發明專利]表面聲波(SAW)諧振器

有效

• 申請號: 201710104039.1
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN107134988B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 理查德·C·魯比;斯蒂芬·羅伊·吉爾伯特;約翰·D·拉森三世
• 申請（專利權）人: 安華高科技股份有限公司
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H03H9/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種設備，其包括：

硅Si襯底，其具有第一表面及第二表面，所述硅襯底在室溫下具有大于約1000Ω-cm且小于約15000Ω-cm的電阻率；及

壓電層，其安置在所述硅襯底上方且具有第一表面及第二表面，其中所述壓電層在約500nm的光學波長下具有大于約0.1cm^-1到小于約1.0cm^-1的光學吸收率，

其中所述壓電層不包括氧摻雜劑。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述壓電層包括鈮酸鋰LiNbO₃或鉭酸鋰LiTaO₃。

3.根據權利要求2所述的設備，其中所述壓電層具有在約0.5μm到約30.0μm的范圍內的厚度。

4.根據權利要求2所述的設備，其中所述壓電層基本上不含鐵Fe。

5.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括：

多個電極，其安置在所述壓電層的所述第一表面上方，所述多個電極經配置以在所述壓電層中產生表面聲波。

6.根據權利要求5所述的設備，其進一步包括：

安置在所述硅襯底的所述第一表面與所述壓電層的所述第二表面之間的層，所述層具有第一表面和第二表面，或者所述層的第二表面具有足以促成所述層的所述第二表面與所述硅襯底的所述第一表面之間的原子鍵合的平滑度，或者所述層的所述第一表面具有足以促成所述層的所述第一表面與所述壓電層的所述第二表面之間的原子鍵合的平滑度；以及

在所述壓電層的所述第二表面上或在所述硅襯底的所述第一表面上的多個特征，所述多個特征經配置以反射聲波且減少亂真模在所述壓電層中的入射。

7.根據權利要求6所述的設備，其中所述經反射聲波相消地干擾所述壓電層中的聲波。

8.根據權利要求6所述的設備，其中所述多個特征中的至少一些具有傾斜側。

9.根據權利要求8所述的設備，其中所述多個特征中的至少一些呈不規則圖案。

10.根據權利要求6所述的設備，其中所述多個特征中的所述至少一些具有亂真模的波長的約四分之一(1/4λ)的高度。

11.根據權利要求10所述的設備，其中所述多個特征中的所述至少一些具有在約0.25μm到約1.5μm的范圍內的高度。

12.根據權利要求10所述的設備，其中所述多個特征中的所述至少一些具有在約0.1μm到約2.50μm的范圍內的高度。

13.根據權利要求6所述的設備，其中所述層包括氧化物材料。

14.根據權利要求13所述的設備，其中所述氧化物材料包括二氧化硅SiO₂、硼硅酸鹽玻璃BSG或磷硅酸鹽玻璃PSG中的一者。

15.根據權利要求6所述的設備，其中所述層的所述第二表面具有約到約的高度均方根RMS變差。

16.根據權利要求1所述的設備，其中所述壓電層在室溫下具有大于約10¹²Ω-cm且小于約10¹⁵Ω-cm的直流電DC電阻率。