[發(fā)明專利]晶片封裝體及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710103788.2 | 申請日: | 2017-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN107146795A | 公開(公告)日: | 2017-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林佳升;賴炯霖;陳瑰瑋 | 申請(專利權(quán))人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市中*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 封裝 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝技術(shù),特別為有關(guān)于一種晶片封裝體及其制造方法。
背景技術(shù)
晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過程中的重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中,使其免受外界環(huán)境污染外,還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路,例如晶片封裝體內(nèi)具有導(dǎo)線以形成導(dǎo)電路徑。隨著電子產(chǎn)品逐漸朝向小型化發(fā)展,晶片封裝體的尺寸也逐漸縮小。
然而,當(dāng)晶片封裝體的尺寸縮小時,導(dǎo)線的厚度及寬度變小,且導(dǎo)線與導(dǎo)線之間的間距也變窄,使得密集的線路區(qū)域內(nèi)容易產(chǎn)生電路故障的問題。舉例來說,由金屬所構(gòu)成的導(dǎo)線與導(dǎo)線之間可能出現(xiàn)電遷移(electromigration)的現(xiàn)象及/或產(chǎn)生賈凡尼效應(yīng)(Galvanic),因而造成電性短路及/或斷路的問題,導(dǎo)致晶片封裝體的品質(zhì)及可靠度降低。
因此,有必要尋求一種新穎的晶片封裝體及其制造方法,其能夠解決或改善上述的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶片封裝體,包括:一基底,基底內(nèi)的一感測區(qū)或元件區(qū)電性連接至一導(dǎo)電墊;一第一絕緣層,位于基底上;一重布線層,位于第一絕緣層上,重布線層的一第一部分及一第二部分電性連接至導(dǎo)電墊;一第二絕緣層,順應(yīng)性地延伸于第一絕緣層上且包覆第一部分及第二部分的側(cè)表面;一保護(hù)層,位于第二絕緣層上,第二絕緣層的一部分位于保護(hù)層與第一絕緣層之間。
本發(fā)明還提供一種晶片封裝體,包括:一基底,基底內(nèi)的一感測區(qū)或元件區(qū)電性連接至一導(dǎo)電墊;一第一絕緣層,位于基底上;一第一重布線層,位于第一絕緣層上,第一重布線層的一第一部分電性連接至導(dǎo)電墊;一第二重布線層,其一第一部分位于第一重布線層的第一部分上,且第二重布線層的一第二部分直接接觸第一絕緣層。
本發(fā)明還提供一種晶片封裝體的制造方法,包括:提供一基底,基底內(nèi)的一感測區(qū)或元件區(qū)電性連接至一導(dǎo)電墊;在基底上形成一第一絕緣層;在第一絕緣層上形成一第二重布線層,第二重布線層的一第一部分及一第二部分電性連接至導(dǎo)電墊;形成一第二絕緣層,第二絕緣層順應(yīng)性地延伸于第一絕緣層上且包覆第二重布線層的第一部分及第二部分的側(cè)表面;以及在第二絕緣層上形成一保護(hù)層,第二絕緣層的一部分位于保護(hù)層與第一絕緣層之間。
本發(fā)明可解決密集的線路區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生電路故障的問題,特別是能夠減緩或消除電遷移現(xiàn)象及/或賈凡尼效應(yīng),因此可大幅提升晶片封裝體的品質(zhì)及可靠度。
附圖說明
圖1A至1F是繪示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。
圖2A至2C是繪示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。
圖3是繪示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的晶片封裝體的剖面示意圖。
其中,附圖中符號的簡單說明如下:
100:基底;100a:前表面;100b:背表面;100c:側(cè)表面;110:感測區(qū)或元件區(qū);120:晶片區(qū);130:第一絕緣層;140:導(dǎo)電墊150:光學(xué)部件;160:間隔層;170:蓋板;180:空腔;190:第一開口;200:第二開口;210:絕緣層;220A:第一部分;220B:第二部分;230A:第一部分;230B:第二部分;240:第二絕緣層;250:保護(hù)層;260:開口;270:導(dǎo)電結(jié)構(gòu);SC:切割道。
具體實(shí)施方式
以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然而,應(yīng)注意的是,本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念,其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式,非用以限制本發(fā)明的范圍。此外,在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明,不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。再者,當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時,包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





