[發明專利]晶片封裝體及其制造方法

在審

• 申請號: 201710103788.2
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN107146795A
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 林佳升;賴炯霖;陳瑰瑋
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

基底，其中該基底內的感測區或元件區電性連接至導電墊；

第一絕緣層，位于該基底上；

第一重布線層，位于該第一絕緣層上，其中該第一重布線層的第一部分及第二部分電性連接至該導電墊；

第二絕緣層，其中該第二絕緣層順應性地延伸于該第一絕緣層上且包覆該第一部分及該第二部分的側表面；以及

保護層，位于該第二絕緣層上，其中該第二絕緣層的一部分位于該保護層與該第一絕緣層之間。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二絕緣層的該部分與該第一絕緣層及該保護層直接接觸。

3.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二絕緣層的該部分夾設于該第一重布線層的該第一部分與該第二部分之間。

4.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括導電結構，其中該導電結構位于該第一重布線層的該第二部分上，且該導電結構的下部被該保護層及該第二絕緣層所環繞。

5.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二絕緣層的另一部分側向地夾設于該第一重布線層的該第一部分與該保護層之間。

6.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二絕緣層的材料不同于該保護層的材料。

7.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

基底，其中該基底內的感測區或元件區電性連接至導電墊；

第一絕緣層，位于該基底上；

第一重布線層，位于該第一絕緣層上，其中該第一重布線層的第一部分電性連接至該導電墊；以及

第二重布線層，其中該第二重布線層的第一部分位于該第一重布線層的該第一部分上，且該第二重布線層的第二部分直接接觸該第一絕緣層。

8.根據權利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二重布線層的該第二部分縱向地重疊于該感測區或元件區。

9.根據權利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一重布線層的該第一部分局部夾設于該第一絕緣層與該第二重布線層的該第一部分之間。

10.根據權利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一重布線層的該第一部分局部夾設于該導電墊與該第二重布線層的該第一部分之間。

11.根據權利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二重布線層的該第二部分的底表面低于該第二重布線層的該第一部分的底表面，且與該第一重布線層的該第一部分的底表面共平面。

12.根據權利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一重布線層的材料不同于該第二重布線層的材料。

13.根據權利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括第二絕緣層，其中該第二絕緣層順應性地延伸于該第一絕緣層上且包覆該第一重布線層的該第一部分的側表面、該第二重布線層的該第一部分及該第二部分的側表面。

14.根據權利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二絕緣層的一部分夾設于該第一重布線層的該第一部分與該第二重布線層的該第二部分之間。

15.根據權利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括保護層，該保護層位于該第二重布線層上，且直接接觸該第一絕緣層、該第一重布線層及該第二重布線層。

16.根據權利要求15所述的晶片封裝體，其特征在于，該保護層的一部分夾設于該第一重布線層的該第一部分與該第二重布線層的該第二部分之間。

17.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，其中該基底內的感測區或元件區電性連接至導電墊；

在該基底上形成第一絕緣層；

在該第一絕緣層上形成第二重布線層，其中該第二重布線層的第一部分及第二部分電性連接至該導電墊；

形成第二絕緣層，其中該第二絕緣層順應性地延伸于該第一絕緣層上且包覆該第二重布線層的該第一部分及該第二部分的側表面；以及

在該第二絕緣層上形成保護層，其中該第二絕緣層的一部分位于該保護層與該第一絕緣層之間。